真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進口Pfeiffer分子泵
前級泵機械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺,300W射頻電源1臺
流量計20sccm/50sccm進口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機LX-300
前級閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設備機架機電一體化
預留接口CF35法蘭一個
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
濺射靶(Sputter Gun)是一種用于材料沉積的設備,主要應用于薄膜技術和表面工程領域。它的工作原理是通過高能粒子(通常是離子)轟擊靶材,使靶材表面的原子或分子被激發(fā)、釋放,并沉積到襯底或其他表面上。這種方法可以用于制作薄膜,例如金屬、氧化物和氮化物薄膜。
濺射靶通常由以下幾個部分組成:
1. **靶材**:目標材料,通常是需要沉積在襯底上的材料。
2. **氣源**:用于生成等離子體的氣體(如氬氣),使離子化的氣體能夠進行轟擊。
3. **真空室**:避免空氣干擾和保持良好的沉積環(huán)境。
4. **電源**:提供能量以加速離子轟擊靶材。
濺射沉積技術因其優(yōu)良的沉積均勻性、良好的附著力以及對材料多樣性的適應性,廣泛應用于半導體器件制造、光學涂層、硬質(zhì)涂層等領域。
靶材通常是在物理、化學和材料科學等領域中使用的一種材料,主要具有以下功能:
1. **靶向作用**:在粒子物理實驗中,靶材可用于吸收入射粒子并產(chǎn)生可觀測的反應,如在粒子加速器中用作靶。
2. **材料沉積**:在薄膜沉積技術中,靶材用于將材料蒸發(fā)或濺射到基底上,形成薄膜。這在電子器件、光學涂層等應用中重要。
3. **反應介質(zhì)**:在化學反應中,靶材可以作為反應物,產(chǎn)生相應的化學反應或物理變化。
4. **能量傳輸**:靶材能夠接收入射粒子的能量并將其轉(zhuǎn)化為其他形式的能量,或以其他方式傳遞能量。
5. **示蹤和檢測**:在放射性同位素研究中,靶材可以用作示蹤劑,幫助檢測和分析現(xiàn)象。
總之,靶材在科學研究和工業(yè)應用中扮演著重要的角色,其具體功能根據(jù)應用場景的不同而有所差異。

PVD(物相沉積)鍍膜機是一種用于在基材表面沉積薄膜的設備,廣泛應用于電子、光學、工具制造和裝飾等領域。其主要特點包括:
1. **薄膜質(zhì)量高**:PVD工藝能夠在較低的溫度下沉積量、高致密度的薄膜,具有良好的附著力和均勻性。
2. **材料多樣性**:PVD技術可以鍍金屬、合金和陶瓷材料,能夠滿足不同應用需求。
3. **環(huán)保性**:PVD過程通常不涉及有害化學物質(zhì),相比于化學氣相沉積(CVD)等工藝更為環(huán)保。
4. **沉積速率可調(diào)**:通過調(diào)整工藝參數(shù),可以控制薄膜的沉積速率,從而滿足不同應用的需求。
5. **設備占用空間小**:PVD鍍膜機相對較小,適合在空間有限的環(huán)境中使用。
6. **自動化程度高**:現(xiàn)代PVD設備通常具有較高的自動化水平,可以實現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn),提高生產(chǎn)效率。
7. **良好的耐磨性和耐腐蝕性**:沉積的薄膜通常具有的耐磨性和耐腐蝕性,適用于工業(yè)應用。
8. **適應性強**:可以處理不同形狀和尺寸的基材,從小型零件到大型工件均可適應。
這些特點使得PVD鍍膜機在多個領域得以廣泛應用,并逐漸成為現(xiàn)代材料表面處理的重要設備。

濺射靶是一種廣泛應用于物理、材料科學和納米技術等領域的設備,主要用于薄膜的沉積。其特點包括:
1. **高精度沉積**:濺射靶能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的薄膜沉積,控制膜層的厚度和組成。
2. **多種材料適用性**:能夠使用金屬、合金、陶瓷等多種靶材進行沉積,適用范圍廣泛。
3. **較低的沉積溫度**:與其他沉積技術(如化學氣相沉積)相比,濺射沉積可以在較低的溫度下進行,有助于保護基材。
4. **良好的膜質(zhì)量**:沉積的薄膜通常具備良好的均勻性和致密性,適合用于電子、光學等高性能應用。
5. **靈活的氣氛控制**:可以在真空或氣氛環(huán)境中操作,靈活性強,適應不同的實驗需求。
6. **搬運便捷**:許多濺射靶設計緊湊,便于實驗室使用和搬運。
7. **擴展應用**:不僅可以用于厚膜沉積,還可以用于微納結(jié)構(gòu)的制作,常用于半導體制造、光電器件等領域。
8. **易于實現(xiàn)多層膜結(jié)構(gòu)**:通過控制濺射時間和靶材,可以輕松實現(xiàn)多層膜的構(gòu)建,滿足復雜的功能需求。
濺射靶的這些特點使其成為現(xiàn)代材料科學和納米技術研究中的重要工具。

磁控濺射是一種廣泛應用于薄膜沉積的技術,主要用于在基材上沉積金屬、絕緣體或半導體材料。其功能和優(yōu)勢包括:
1. **量薄膜**:磁控濺射能夠沉積出均勻、致密且質(zhì)量優(yōu)良的薄膜,適用于材料,包括金屬、合金和氧化物等。
2. **可控性強**:通過調(diào)節(jié)濺射參數(shù)(如氣壓、電源功率、磁場強度等),可以控制薄膜的厚度和性質(zhì)。
3. **低溫沉積**:與其他沉積技術相比,磁控濺射通常可以在較低溫度下進行,這對于熱敏感材料尤為重要。
4. **多種材料的沉積**:可以在不同類型的基材上沉積材料,適用范圍很廣。
5. **高沉積速率**:由于利用了磁場增強離子化過程,磁控濺射的沉積速率通常較高,能夠提高生產(chǎn)效率。
6. **良好的附著力**:沉積的薄膜與基材之間具有良好的附著力,適合用于多種應用。
7. **均勻性和厚度控制**:可以實現(xiàn)大面積的均勻沉積,適用于需要大尺寸薄膜的應用。
磁控濺射廣泛應用于光電器件、太陽能電池、薄膜電路、保護涂層等領域。
濺射靶(Sputter Gun)主要用于物相沉積(PVD)技術中的薄膜生長。其適用范圍包括但不限于以下幾個領域:
1. **半導體制造**:用于沉積金屬、氧化物等材料,以制作電子器件中的導電層和絕緣層。
2. **光學涂層**:在光學設備中應用,如鏡頭、濾光片等,增加其反射、透射或抗反射性能。
3. **太陽能電池**:用于沉積薄膜材料,以提高光電轉(zhuǎn)換效率。
4. **硬涂層**:在工具、機械零部件上沉積硬質(zhì)涂層,提升耐磨性和耐腐蝕性。
5. **裝飾性涂層**:在產(chǎn)品表面沉積金屬或合成材料涂層,提升美觀和防護性能。
6. **磁記錄媒體**:用于制造磁盤和磁帶等數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。
7. **生物醫(yī)學應用**:在器械及生物材料上沉積涂層,改善其生物相容性和性能。
濺射靶因其能夠沉積均勻、致密的薄膜,以及適用多種材料,廣泛應用于現(xiàn)代材料科學與工程領域。
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