溫度范圍零下180~550℃
變溫速度0~10℃/min,升降溫線(xiàn)性可控
溫度分辨率及穩(wěn)定性± 0.1℃
控溫方式PID
溫度傳感器PT100
溫度傳感器數(shù)量2
致冷方式液氮(泵控制)
探針數(shù)量4(可增加)
探針材質(zhì)紫銅鍍金
測(cè)試通道4
載樣臺(tái)材質(zhì)及尺寸銀質(zhì),35*35mm(以實(shí)際尺寸為準(zhǔn))
冷熱臺(tái)尺寸160*150*29mm(以實(shí)際尺寸為準(zhǔn))
實(shí)驗(yàn)環(huán)境可抽真空,可充入保護(hù)氣氛(氮?dú)猓?,配水冷接?/span>
探針臺(tái)(Probing Station)是一種用于半導(dǎo)體測(cè)試和測(cè)量的設(shè)備,主要用于對(duì)集成電路(IC)進(jìn)行電氣測(cè)試。它允許工程師在開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中評(píng)估電路的性能,確定是否滿(mǎn)足設(shè)計(jì)規(guī)格。探針臺(tái)通常配備高度的探針,可以在微小的封裝上進(jìn)行接觸,以測(cè)量電流、電壓和其他電氣特性。
探針臺(tái)的主要特點(diǎn)包括:
1. **高精度定位**:能夠定位到納米級(jí)別,以確保探針能準(zhǔn)確接觸到芯片上的測(cè)試點(diǎn)。
2. **可調(diào)操作溫度**:有些探針臺(tái)設(shè)計(jì)可以在不同的溫度條件下進(jìn)行測(cè)試,以模擬不同的工作環(huán)境。
3. **自動(dòng)化與手動(dòng)操作**:現(xiàn)代探針臺(tái)通常集成了自動(dòng)化系統(tǒng),能夠提高測(cè)試效率,減少人為錯(cuò)誤。
4. **多探針設(shè)計(jì)**:可以同時(shí)使用多個(gè)探針進(jìn)行測(cè)試,從而加快測(cè)試速度并提高測(cè)試覆蓋率。
探針臺(tái)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)的研發(fā)、生產(chǎn)測(cè)試以及質(zhì)量控制等環(huán)節(jié)。
光學(xué)探針臺(tái)是一種高精度的實(shí)驗(yàn)設(shè)備,主要用于表征材料的光學(xué)性能和研究微觀結(jié)構(gòu)。以下是光學(xué)探針臺(tái)的主要特點(diǎn):
1. **高精度定位**:光學(xué)探針臺(tái)通常具備高精度的運(yùn)動(dòng)系統(tǒng),能夠在微米或納米級(jí)別上進(jìn)行樣品定位,以確保實(shí)驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性。
2. **多功能性**:很多光學(xué)探針臺(tái)可以支持多種測(cè)量方法,如反射、透射、熒光及拉曼光譜等,適用于不同的研究需求。
3. **環(huán)境控制**:有些光學(xué)探針臺(tái)配備有溫度、濕度、氣氛等環(huán)境控制系統(tǒng),能夠在特定條件下進(jìn)行實(shí)驗(yàn),適應(yīng)不同材料的測(cè)試要求。
4. **光學(xué)元件的集成**:探針臺(tái)通常集成有高性能的光學(xué)元件,如透鏡、濾光片和光源等,以提高光學(xué)測(cè)量的靈敏度和信噪比。
5. **圖像采集與分析**:許多光學(xué)探針臺(tái)具有圖像采集功能,可以實(shí)時(shí)觀察樣品表面、形貌及其他特征,并與測(cè)量數(shù)據(jù)結(jié)合進(jìn)行分析。
6. **模塊化設(shè)計(jì)**:一些探針臺(tái)是模塊化的,可以根據(jù)實(shí)驗(yàn)需要進(jìn)行升級(jí)和擴(kuò)展,適應(yīng)不同的研究需求。
7. **用戶(hù)友好的操作界面**:現(xiàn)代的光學(xué)探針臺(tái)通常配備友好的軟件界面,使得用戶(hù)可以輕松設(shè)置實(shí)驗(yàn)參數(shù),進(jìn)行數(shù)據(jù)采集和分析。
8. **適用性廣**:廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、材料科學(xué)、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域,在基礎(chǔ)研究和工業(yè)應(yīng)用中都具有重要價(jià)值。
光學(xué)探針臺(tái)因其高度和多功能性,被廣泛用于科研與工業(yè)領(lǐng)域的光學(xué)測(cè)量與分析任務(wù)。

真空探針臺(tái)是一種用于微電子器件測(cè)試與研究的精密儀器,其主要功能包括:
1. **電學(xué)測(cè)試**:能夠?qū)Π雽?dǎo)體器件進(jìn)行電性能測(cè)試,如IV(電流-電壓)特性測(cè)試、CV(電容-電壓)特性測(cè)試等。
2. **高真空環(huán)境**:提供高真空或真空環(huán)境,減少氣體分子對(duì)測(cè)試結(jié)果的干擾,特別是在處理空氣敏感材料或量子特性研究時(shí)尤為重要。
3. **微觀定位**:由于其高精度的定位功能,能夠?qū)ξ⑿〗Y(jié)構(gòu)進(jìn)行接觸和掃描,適用于納米尺度設(shè)備的測(cè)試。
4. **冷熱測(cè)試**:部分真空探針臺(tái)配備溫控系統(tǒng),可以在低溫或高溫條件下進(jìn)行測(cè)試,以研究材料和器件在不同溫度下的特性。
5. **材料表征**:能夠?qū)Ρ∧?、納米材料等進(jìn)行表征,分析其電學(xué)性質(zhì)、表面狀態(tài)等。
6. **集成化測(cè)試**:可以與其他儀器(如掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡等)聯(lián)用,進(jìn)行更深入的材料或器件分析。
總之,真空探針臺(tái)是半導(dǎo)體研究、材料科學(xué)等領(lǐng)域中的重要設(shè)備。

同軸真空饋通件是一種用于信號(hào)傳輸?shù)脑?,主要的功能包括?br/>1. **信號(hào)傳輸**:用于在真空環(huán)境中傳輸或微波信號(hào),確保信號(hào)的有效傳遞。
2. **隔離真空和常規(guī)環(huán)境**:通過(guò)密封設(shè)計(jì),能夠在真空環(huán)境下工作,避免外界環(huán)境對(duì)設(shè)備的影響,保護(hù)信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。
3. **低損耗**:設(shè)計(jì)優(yōu)化以減少信號(hào)在傳輸過(guò)程中的損耗,確保信號(hào)的質(zhì)量。
4. **相位穩(wěn)定性**:在不同溫度和真空條件下,保持信號(hào)的相位穩(wěn)定性。
5. **適應(yīng)性**:可以和不同類(lèi)型的同軸電纜和連接器兼容,適應(yīng)多種不同的應(yīng)用場(chǎng)合。
6. **性能**:能在率下正常工作,通常用于、通訊、測(cè)試設(shè)備等設(shè)備中。
同軸真空饋通件廣泛應(yīng)用于科學(xué)實(shí)驗(yàn)、微波技術(shù)、衛(wèi)星通訊、粒子加速器等領(lǐng)域,能夠滿(mǎn)足信號(hào)在特殊環(huán)境下的傳輸需求。

探針臺(tái)卡盤(pán)(probe station chuck)是用于半導(dǎo)體測(cè)試和材料研究的重要設(shè)備,其特點(diǎn)包括:
1. **高精度**:探針臺(tái)卡盤(pán)通常具有高精度的定位能力,能夠確保探針與測(cè)試樣品之間的對(duì)接,從而提高測(cè)試的準(zhǔn)確性。
2. **溫控能力**:許多探針臺(tái)卡盤(pán)配備有溫度控制系統(tǒng),可以在升溫或降溫的情況下進(jìn)行測(cè)試,幫助研究人員觀察材料在不同溫度下的性能變化。
3. **真空功能**:某些探針臺(tái)卡盤(pán)具有真空夾緊功能,可以確保樣品在測(cè)試過(guò)程中固定穩(wěn)定,減少外部干擾。
4. **兼容性強(qiáng)**:探針臺(tái)卡盤(pán)通常設(shè)計(jì)為兼容多種類(lèi)型的測(cè)試探針和測(cè)試儀器,方便用戶(hù)進(jìn)行不同類(lèi)型的實(shí)驗(yàn)。
5. **靈活性**:探針臺(tái)卡盤(pán)可以適應(yīng)不同尺寸和形狀的樣品,提供多種夾持方式,以滿(mǎn)足不同測(cè)試需求。
6. **性能**:針對(duì)信號(hào)測(cè)試的需求,一些探針臺(tái)卡盤(pán)具備良好的性能,能夠有效降低信號(hào)衰減和反射。
7. **用戶(hù)友好的操作界面**:現(xiàn)代探針臺(tái)常配備直觀的控制系統(tǒng),便于用戶(hù)對(duì)設(shè)備進(jìn)行調(diào)整和設(shè)置。
8. **耐用性**:探針臺(tái)卡盤(pán)通常采用量材料制造,以確保設(shè)備的耐久性和穩(wěn)定性,在復(fù)雜環(huán)境下也能長(zhǎng)期使用。
綜合以上特點(diǎn),探針臺(tái)卡盤(pán)在半導(dǎo)體測(cè)試、材料研究等領(lǐng)域中扮演著關(guān)鍵角色,極大地推動(dòng)了相關(guān)技術(shù)的發(fā)展。
探針座位移平臺(tái)主要用于電子元器件、半導(dǎo)體器件以及其他微電子設(shè)備的測(cè)試和研發(fā)。其適用范圍包括但不限于以下幾個(gè)方面:
1. **半導(dǎo)體測(cè)試**:對(duì)芯片的電氣特性進(jìn)行測(cè)試,包括晶圓級(jí)測(cè)試(Wafer Testing)和封裝測(cè)試(Package Testing)。
2. **微電子器件研發(fā)**:在新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中,對(duì)微小器件的電氣和物理特性進(jìn)行測(cè)量。
3. **實(shí)驗(yàn)室研究**:用于高校、研究機(jī)構(gòu)的材料科學(xué)、物理學(xué)等領(lǐng)域的實(shí)驗(yàn)。
4. **通信器件測(cè)試**:用于測(cè)試通信相關(guān)的IC(集成電路)和器件。
5. **自動(dòng)化生產(chǎn)線(xiàn)**:在自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備中,實(shí)現(xiàn)率的在線(xiàn)測(cè)試和監(jiān)控。
6. **設(shè)備測(cè)試**:用于一些微小設(shè)備的性能測(cè)試。
探針座位移平臺(tái)的設(shè)計(jì)與制造通??紤]的定位和穩(wěn)定性,以便能夠滿(mǎn)足高精度測(cè)量的需求。
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