真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進(jìn)口Pfeiffer分子泵
前級泵機(jī)械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺(tái),300W射頻電源1臺(tái)
流量計(jì)20sccm/50sccm進(jìn)口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機(jī)LX-300
前級閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺(tái)Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進(jìn)口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設(shè)備機(jī)架機(jī)電一體化
預(yù)留接口CF35法蘭一個(gè)
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
磁控濺射(Magnetron Sputtering)是一種常用的物相沉積(PVD)技術(shù),廣泛應(yīng)用于薄膜材料的制備。它主要利用高能離子轟擊靶材,使靶材原子或分子脫離并沉積到基材表面,形成薄膜。
磁控濺射的基本原理如下:
1. **離子源**:在氣體氬氣中產(chǎn)生等離子體,通常在真空條件下進(jìn)行。通過施加電壓,氬氣原子被電離,形成帶正電的氬離子。
2. **靶材轟擊**:生成的氬離子被加速,轟擊靶材表面,使靶材上的原子以濺射的方式逸出。
3. **磁場的作用**:在靶材附近施加磁場,產(chǎn)生閉合的磁力線,這樣可以有效地延長離子的停留時(shí)間,增強(qiáng)了等離子體的密度,提高了濺射效率。
4. **薄膜沉積**:被濺射出來的靶材原子在真空中遷移,終沉積在基材表面,形成所需的薄膜。
磁控濺射技術(shù)具有許多優(yōu)點(diǎn),比如沉積速率高、膜層均勻性好、粘附性強(qiáng)等。此外,它還能夠沉積多種材料,包括金屬、合金、絕緣體和半導(dǎo)體等,因此在光電子、微電子、光學(xué)涂層等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
小型磁控濺射鍍膜機(jī)具有以下幾個(gè)特點(diǎn):
1. **占用空間小**:小型設(shè)計(jì)使其適合在實(shí)驗(yàn)室或小型生產(chǎn)環(huán)境中使用,便于安裝和操作。
2. **高沉積速率**:磁控濺射技術(shù)通過磁場增強(qiáng)離子化率,從而提高沉積速率,適合快速制備薄膜。
3. **沉積均勻性好**:由于磁場的應(yīng)用,能夠?qū)崿F(xiàn)較為均勻的薄膜沉積,提高膜層的質(zhì)量和一致性。
4. **適用材料廣泛**:能夠?yàn)R射多種金屬、合金及絕緣材料,適應(yīng)不同的應(yīng)用需求。
5. **可控性強(qiáng)**:可以控制沉積厚度、沉積速率和氣氛,便于實(shí)驗(yàn)和生產(chǎn)中的參數(shù)調(diào)整。
6. **能**:磁控濺射技術(shù)相對傳統(tǒng)濺射技術(shù)能量損耗較小,效率較高,有助于降低生產(chǎn)成本。
7. **多靶配置**:一些小型鍍膜機(jī)支持多靶配置,能夠同時(shí)沉積不同材料,適應(yīng)復(fù)雜的薄膜制備需求。
8. **易于維護(hù)**:小型設(shè)備一般結(jié)構(gòu)簡單,便于操作和維護(hù),適合實(shí)驗(yàn)室的日常使用。
9. **環(huán)境友好**:多數(shù)小型磁控濺射鍍膜機(jī)可以使用低氣壓條件下工作,減少揮發(fā)性有機(jī)物等污染。
這些特點(diǎn)使得小型磁控濺射鍍膜機(jī)在科研、電子、光學(xué)及功能性涂層等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

磁控濺射是一種常用的薄膜沉積技術(shù),具有以下幾個(gè)特點(diǎn):
1. **高沉積速率**:由于使用了磁場增強(qiáng)了等離子體的密度,從而提高了濺射粒子的產(chǎn)生率,能夠?qū)崿F(xiàn)較高的沉積速率。
2. **均勻性**:磁控濺射能夠在較大面積上實(shí)現(xiàn)均勻的薄膜沉積,適用于大面積涂層和均勻薄膜的要求。
3. **良好的附著力**:由于濺射過程中粒子能量較高,薄膜與基底之間的附著力較好,減少了薄膜剝離的風(fēng)險(xiǎn)。
4. **低溫沉積**:相比于其他沉積技術(shù),磁控濺射可以在相對較低的溫度下進(jìn)行,適合于對溫度敏感的材料。
5. **多材料沉積**:能夠?qū)崿F(xiàn)多種材料的復(fù)合沉積,包括金屬、絕緣體和半導(dǎo)體等,實(shí)現(xiàn)材料的多樣性。
6. **可控性強(qiáng)**:沉積過程中的參數(shù)(如氣體壓力、功率、基板溫度等)對薄膜的性質(zhì)有較大影響,因此可以通過控制這些參數(shù)來調(diào)節(jié)薄膜的厚度和質(zhì)量。
7. **環(huán)保性**:相較于某些化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù),磁控濺射通常不涉及毒性氣體,環(huán)境友好。
這些特點(diǎn)使得磁控濺射在電子、光電、硬涂層等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。

PVD(物相沉積)鍍膜機(jī)是一種用于在基材表面沉積薄膜的設(shè)備。其主要功能包括:
1. **薄膜沉積**:通過物相沉積方法,PVD鍍膜機(jī)可以在基材表面沉積金屬、合金、氧化物、氮化物等薄膜材料,用于改善表面性能。
2. **表面改性**:通過鍍膜,可以提高基材的耐磨性、耐腐蝕性、抗氧化性等,延長材料的使用壽命。
3. **功能涂層**:PVD鍍膜可以賦予材料特定的功能,例如光學(xué)性能(反射、透射)、導(dǎo)電性能、熱導(dǎo)性等,適用于電子、光學(xué)等行業(yè)。
4. **裝飾效果**:在一些應(yīng)用中,PVD鍍膜機(jī)可用于實(shí)現(xiàn)裝飾性涂層,提高產(chǎn)品的美觀性和附加值。
5. **薄膜**:PVD技術(shù)能夠在較低的溫度下沉積量的薄膜,適合用于一些熱敏材料的表面處理。
6. **環(huán)境友好**:相比于化學(xué)鍍膜方法,PVD過程通常不需要使用有毒化學(xué)物質(zhì),減小了對環(huán)境的影響。
7. **可控性強(qiáng)**:PVD鍍膜機(jī)可以控制膜厚、沉積速率等參數(shù),實(shí)現(xiàn)高重復(fù)性和一致性的薄膜性能。
總之,PVD鍍膜機(jī)在現(xiàn)代制造業(yè)中發(fā)揮著重要作用,廣泛應(yīng)用于電子、光學(xué)、汽車、等多個(gè)領(lǐng)域。

磁控濺射鍍膜機(jī)是一種常用的薄膜制備設(shè)備,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電器件、光學(xué)涂層等領(lǐng)域。其主要特點(diǎn)包括:
1. **高沉積速率**:磁控濺射技術(shù)能夠在較短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)較高的薄膜沉積速率,適用于大規(guī)模生產(chǎn)。
2. **優(yōu)良的膜層均勻性**:由于采用磁場增強(qiáng)了離子的密度,膜層的厚度均勻性和思想性得到了顯著提升。
3. **良好的膜質(zhì)**:磁控濺射沉積的膜層通常具有較高的致密性和優(yōu)良的物理性質(zhì),如低內(nèi)應(yīng)力和高附著力。
4. **適用性廣**:可以對多種材料進(jìn)行沉積,包括金屬、絕緣體和半導(dǎo)體等,適用范圍廣泛。
5. **可控性強(qiáng)**:通過調(diào)節(jié)氣體壓力、功率、目標(biāo)材料和沉積時(shí)間等參數(shù),可以控制膜層的厚度和組成。
6. **環(huán)境友好**:相比于其他鍍膜技術(shù),磁控濺射常用的氣體(如氬氣)對環(huán)境危害較小,過程相對環(huán)保。
7. **良好的應(yīng)變控制**:磁控濺射可以在較低的溫度下進(jìn)行,這對于熱敏感材料尤為重要,可以有效控制膜層的應(yīng)變和缺陷。
8. **多功能性**:可通過不同的配置實(shí)現(xiàn)多種功能,如多層膜的沉積或不同材料的復(fù)合沉積。
這些特點(diǎn)使得磁控濺射鍍膜機(jī)成為現(xiàn)代薄膜技術(shù)中重要的工具。
磁控濺射是一種常用的薄膜沉積技術(shù),廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域。其適用范圍包括:
1. **半導(dǎo)體制造**:用于沉積導(dǎo)電、絕緣和半導(dǎo)體材料的薄膜,如鋁、銅、氧化硅和氮化硅等。
2. **光電器件**:在制造光電元件(如太陽能電池、LED)的過程中,用于沉積透明導(dǎo)電氧化物(如ITO)。
3. **裝飾涂層**:用于金屬或陶瓷表面的裝飾性和保護(hù)性涂層,如金屬鍍層和顏色層。
4. **硬質(zhì)涂層**:在工具和機(jī)械部件上沉積硬質(zhì)涂層以提高耐磨性和硬度。
5. **磁性材料**:沉積高性能磁性薄膜,廣泛應(yīng)用于磁存儲(chǔ)器件和傳感器。
6. **醫(yī)用材料**:用于生物材料的開發(fā),如藥物釋放系統(tǒng)和生物相容性涂層。
7. **微電子器件**:在MEMS和NEMS器件制造中,形成關(guān)鍵的功能薄膜。
磁控濺射因其優(yōu)良的沉積均勻性、良好的附著力和廣泛的材料適用性,成為許多高科技領(lǐng)域中重要的薄膜沉積技術(shù)。
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