真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進(jìn)口Pfeiffer分子泵
前級(jí)泵機(jī)械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺(tái),300W射頻電源1臺(tái)
流量計(jì)20sccm/50sccm進(jìn)口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機(jī)LX-300
前級(jí)閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺(tái)Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進(jìn)口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設(shè)備機(jī)架機(jī)電一體化
預(yù)留接口CF35法蘭一個(gè)
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
濺射靶(Sputter Gun)是一種用于材料沉積的設(shè)備,主要應(yīng)用于薄膜技術(shù)和表面工程領(lǐng)域。它的工作原理是通過高能粒子(通常是離子)轟擊靶材,使靶材表面的原子或分子被激發(fā)、釋放,并沉積到襯底或其他表面上。這種方法可以用于制作薄膜,例如金屬、氧化物和氮化物薄膜。
濺射靶通常由以下幾個(gè)部分組成:
1. **靶材**:目標(biāo)材料,通常是需要沉積在襯底上的材料。
2. **氣源**:用于生成等離子體的氣體(如氬氣),使離子化的氣體能夠進(jìn)行轟擊。
3. **真空室**:避免空氣干擾和保持良好的沉積環(huán)境。
4. **電源**:提供能量以加速離子轟擊靶材。
濺射沉積技術(shù)因其優(yōu)良的沉積均勻性、良好的附著力以及對(duì)材料多樣性的適應(yīng)性,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件制造、光學(xué)涂層、硬質(zhì)涂層等領(lǐng)域。
濺射靶是一種廣泛應(yīng)用于物理、材料科學(xué)和納米技術(shù)等領(lǐng)域的設(shè)備,主要用于薄膜的沉積。其特點(diǎn)包括:
1. **高精度沉積**:濺射靶能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的薄膜沉積,控制膜層的厚度和組成。
2. **多種材料適用性**:能夠使用金屬、合金、陶瓷等多種靶材進(jìn)行沉積,適用范圍廣泛。
3. **較低的沉積溫度**:與其他沉積技術(shù)(如化學(xué)氣相沉積)相比,濺射沉積可以在較低的溫度下進(jìn)行,有助于保護(hù)基材。
4. **良好的膜質(zhì)量**:沉積的薄膜通常具備良好的均勻性和致密性,適合用于電子、光學(xué)等高性能應(yīng)用。
5. **靈活的氣氛控制**:可以在真空或氣氛環(huán)境中操作,靈活性強(qiáng),適應(yīng)不同的實(shí)驗(yàn)需求。
6. **搬運(yùn)便捷**:許多濺射靶設(shè)計(jì)緊湊,便于實(shí)驗(yàn)室使用和搬運(yùn)。
7. **擴(kuò)展應(yīng)用**:不僅可以用于厚膜沉積,還可以用于微納結(jié)構(gòu)的制作,常用于半導(dǎo)體制造、光電器件等領(lǐng)域。
8. **易于實(shí)現(xiàn)多層膜結(jié)構(gòu)**:通過控制濺射時(shí)間和靶材,可以輕松實(shí)現(xiàn)多層膜的構(gòu)建,滿足復(fù)雜的功能需求。
濺射靶的這些特點(diǎn)使其成為現(xiàn)代材料科學(xué)和納米技術(shù)研究中的重要工具。

PVD(物相沉積)鍍膜機(jī)是一種用于在基材表面沉積薄膜的設(shè)備。其主要功能包括:
1. **薄膜沉積**:通過物相沉積方法,PVD鍍膜機(jī)可以在基材表面沉積金屬、合金、氧化物、氮化物等薄膜材料,用于改善表面性能。
2. **表面改性**:通過鍍膜,可以提高基材的耐磨性、耐腐蝕性、抗氧化性等,延長材料的使用壽命。
3. **功能涂層**:PVD鍍膜可以賦予材料特定的功能,例如光學(xué)性能(反射、透射)、導(dǎo)電性能、熱導(dǎo)性等,適用于電子、光學(xué)等行業(yè)。
4. **裝飾效果**:在一些應(yīng)用中,PVD鍍膜機(jī)可用于實(shí)現(xiàn)裝飾性涂層,提高產(chǎn)品的美觀性和附加值。
5. **薄膜**:PVD技術(shù)能夠在較低的溫度下沉積量的薄膜,適合用于一些熱敏材料的表面處理。
6. **環(huán)境友好**:相比于化學(xué)鍍膜方法,PVD過程通常不需要使用有毒化學(xué)物質(zhì),減小了對(duì)環(huán)境的影響。
7. **可控性強(qiáng)**:PVD鍍膜機(jī)可以控制膜厚、沉積速率等參數(shù),實(shí)現(xiàn)高重復(fù)性和一致性的薄膜性能。
總之,PVD鍍膜機(jī)在現(xiàn)代制造業(yè)中發(fā)揮著重要作用,廣泛應(yīng)用于電子、光學(xué)、汽車、等多個(gè)領(lǐng)域。

樣品臺(tái)通常用于科學(xué)實(shí)驗(yàn)、顯微鏡觀察及工業(yè)測試等領(lǐng)域,其主要功能包括:
1. **支撐樣品**:樣品臺(tái)提供一個(gè)穩(wěn)定的表面,用于放置和支撐待觀察或測試的樣品。
2. **調(diào)整位置**:許多樣品臺(tái)具有可調(diào)節(jié)的機(jī)制,允許用戶定位樣品,以便于觀察和分析。
3. **光學(xué)觀察**:在顯微鏡等光學(xué)設(shè)備中,樣品臺(tái)能夠在光束的照射下,讓研究人員清晰觀察樣品的細(xì)節(jié)。
4. **溫度控制**:一些樣品臺(tái)具有溫控功能,可以在特定的溫度條件下實(shí)驗(yàn),適用于生物樣品的觀測。
5. **樣品固定**:樣品臺(tái)上通常會(huì)配備夾具或黏合劑,以確保樣品在觀察或測試過程中移動(dòng)。
6. **兼容性**:許多樣品臺(tái)設(shè)計(jì)為能夠與不同類型的設(shè)備(如顯微鏡、光譜儀等)兼容,便于科學(xué)研究。
7. **數(shù)據(jù)記錄**:某些樣品臺(tái)配備傳感器,可以實(shí)時(shí)記錄樣品的變化,便于后續(xù)分析。
以上是樣品臺(tái)的一些主要功能,具體功能可能根據(jù)不同的應(yīng)用領(lǐng)域和設(shè)備類型而有所不同。

濺射靶是一種用于薄膜沉積技術(shù)的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于物理、材料科學(xué)和半導(dǎo)體工業(yè)。其主要功能包括:
1. **物質(zhì)沉積**:通過濺射技術(shù)將靶材(如金屬、合金或氧化物)中的原子或分子打出,并在基材表面形成薄膜。
2. **薄膜均勻性**:濺射靶能夠在較大的面積上實(shí)現(xiàn)均勻的薄膜沉積,這對(duì)許多應(yīng)用至關(guān)重要。
3. **控制膜厚度**:通過調(diào)整濺射時(shí)間、功率和氣氛等參數(shù),可以控制沉積膜的厚度。
4. **材料多樣性**:能夠處理多種不同類型的靶材,適用于不同的應(yīng)用需求。
5. **低溫沉積**:濺射過程通常在較低溫度下進(jìn)行,因此適合一些熱敏材料的沉積。
6. **量膜**:濺射技術(shù)可制作高致密性、低缺陷的薄膜,適合高性能電子元件和光電器件等。
7. **大面積沉積**:有些濺射靶可以實(shí)現(xiàn)大面積的一次性沉積,適合工業(yè)化生產(chǎn)。
8. **功能薄膜制備**:可以用于制備功能性薄膜,如透明導(dǎo)電氧化物(TCO)、磁性薄膜及其他材料。
濺射靶的技術(shù)進(jìn)步與材料科學(xué)的發(fā)展密切相關(guān),對(duì)推動(dòng)新材料的研究和應(yīng)用起到了重要作用。
濺射靶(Sputter Gun)主要用于物相沉積(PVD)技術(shù)中的薄膜生長。其適用范圍包括但不限于以下幾個(gè)領(lǐng)域:
1. **半導(dǎo)體制造**:用于沉積金屬、氧化物等材料,以制作電子器件中的導(dǎo)電層和絕緣層。
2. **光學(xué)涂層**:在光學(xué)設(shè)備中應(yīng)用,如鏡頭、濾光片等,增加其反射、透射或抗反射性能。
3. **太陽能電池**:用于沉積薄膜材料,以提高光電轉(zhuǎn)換效率。
4. **硬涂層**:在工具、機(jī)械零部件上沉積硬質(zhì)涂層,提升耐磨性和耐腐蝕性。
5. **裝飾性涂層**:在產(chǎn)品表面沉積金屬或合成材料涂層,提升美觀和防護(hù)性能。
6. **磁記錄媒體**:用于制造磁盤和磁帶等數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。
7. **生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用**:在器械及生物材料上沉積涂層,改善其生物相容性和性能。
濺射靶因其能夠沉積均勻、致密的薄膜,以及適用多種材料,廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代材料科學(xué)與工程領(lǐng)域。
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