真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進(jìn)口Pfeiffer分子泵
前級(jí)泵機(jī)械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺(tái),300W射頻電源1臺(tái)
流量計(jì)20sccm/50sccm進(jìn)口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機(jī)LX-300
前級(jí)閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺(tái)Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進(jìn)口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設(shè)備機(jī)架機(jī)電一體化
預(yù)留接口CF35法蘭一個(gè)
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
磁控濺射鍍膜機(jī)是一種廣泛應(yīng)用于薄膜沉積技術(shù)的設(shè)備,其主要用于在基材上沉積薄膜材料。它利用磁控濺射原理,通過(guò)在真空環(huán)境中將靶材(通常是金屬或合金)軋制成氣體,進(jìn)而形成薄膜。
### 磁控濺射的基本原理:
1. **真空環(huán)境**:設(shè)備內(nèi)部通常處于真空狀態(tài),以減少氣體分子的干擾,提高沉積質(zhì)量。
2. **氣體引入**:引入惰性氣體(如氬氣),在高電壓作用下,氣體被電離,形成等離子體。
3. **靶材轟擊**:等離子體中的離子會(huì)加速并轟擊靶材,使其表面原子被濺射出來(lái),形成氣相物質(zhì)。
4. **薄膜沉積**:被濺射出來(lái)的原子在基材表面冷卻凝結(jié),形成薄膜。
### 磁控濺射的優(yōu)點(diǎn):
- **均勻性好**:能夠在大面積基材上較均勻地沉積薄膜。
- **量膜**:沉積的薄膜通常具有良好的結(jié)晶性和密度。
- **適應(yīng)性強(qiáng)**:可以沉積多種材料,包括金屬、氧化物、氮化物等。
### 應(yīng)用領(lǐng)域:
- 電子器件的制造(如半導(dǎo)體、光電器件)。
- 光學(xué)鍍膜(如反射鏡、抗反射膜)。
- 功能涂層(如耐磨、抗腐蝕涂層)。
磁控濺射鍍膜機(jī)的技術(shù)發(fā)展不斷進(jìn)步,尤其是在提高沉積速率、膜質(zhì)量及設(shè)備自動(dòng)化程度等方面。
小型磁控濺射鍍膜機(jī)是一種常用于材料表面處理的設(shè)備,它的主要功能包括:
1. **薄膜沉積**:能夠在基材表面沉積金屬、絕緣體或半導(dǎo)體薄膜,廣泛應(yīng)用于電子、光學(xué)和材料科學(xué)等領(lǐng)域。
2. **均勻性**:通過(guò)磁控濺射技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)良好的膜厚均勻性和致密性,有助于提高薄膜性能。
3. **可調(diào)性**:用戶(hù)可以根據(jù)不同的需求調(diào)整沉積參數(shù),如功率、氣壓和氣體成分,以獲得的沉積效果。
4. **多種材料選擇**:支持多種靶材的使用,能夠沉積不同材料的薄膜,如鋁、銅、氮化硅等。
5. **快速成膜**:小型磁控濺射鍍膜機(jī)相對(duì)快速,適合小批量實(shí)驗(yàn)或研發(fā)。
6. **低溫沉積**:允許在較低溫度下進(jìn)行沉積,有助于減少基材的熱負(fù)荷,適合對(duì)熱敏感材料的處理。
7. **簡(jiǎn)單操作**:由于其結(jié)構(gòu)緊湊且操作相對(duì)簡(jiǎn)單,適合實(shí)驗(yàn)室和小規(guī)模生產(chǎn)使用。
這些功能使得小型磁控濺射鍍膜機(jī)在科研、工業(yè)和教學(xué)等多個(gè)領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。

PVD(物相沉積)鍍膜機(jī)是一種用于在基材表面沉積薄膜的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于電子、光學(xué)、工具制造和裝飾等領(lǐng)域。其主要特點(diǎn)包括:
1. **薄膜質(zhì)量高**:PVD工藝能夠在較低的溫度下沉積量、高致密度的薄膜,具有良好的附著力和均勻性。
2. **材料多樣性**:PVD技術(shù)可以鍍金屬、合金和陶瓷材料,能夠滿(mǎn)足不同應(yīng)用需求。
3. **環(huán)保性**:PVD過(guò)程通常不涉及有害化學(xué)物質(zhì),相比于化學(xué)氣相沉積(CVD)等工藝更為環(huán)保。
4. **沉積速率可調(diào)**:通過(guò)調(diào)整工藝參數(shù),可以控制薄膜的沉積速率,從而滿(mǎn)足不同應(yīng)用的需求。
5. **設(shè)備占用空間小**:PVD鍍膜機(jī)相對(duì)較小,適合在空間有限的環(huán)境中使用。
6. **自動(dòng)化程度高**:現(xiàn)代PVD設(shè)備通常具有較高的自動(dòng)化水平,可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn),提高生產(chǎn)效率。
7. **良好的耐磨性和耐腐蝕性**:沉積的薄膜通常具有的耐磨性和耐腐蝕性,適用于工業(yè)應(yīng)用。
8. **適應(yīng)性強(qiáng)**:可以處理不同形狀和尺寸的基材,從小型零件到大型工件均可適應(yīng)。
這些特點(diǎn)使得PVD鍍膜機(jī)在多個(gè)領(lǐng)域得以廣泛應(yīng)用,并逐漸成為現(xiàn)代材料表面處理的重要設(shè)備。

濺射靶是一種廣泛應(yīng)用于物理、材料科學(xué)和納米技術(shù)等領(lǐng)域的設(shè)備,主要用于薄膜的沉積。其特點(diǎn)包括:
1. **高精度沉積**:濺射靶能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的薄膜沉積,控制膜層的厚度和組成。
2. **多種材料適用性**:能夠使用金屬、合金、陶瓷等多種靶材進(jìn)行沉積,適用范圍廣泛。
3. **較低的沉積溫度**:與其他沉積技術(shù)(如化學(xué)氣相沉積)相比,濺射沉積可以在較低的溫度下進(jìn)行,有助于保護(hù)基材。
4. **良好的膜質(zhì)量**:沉積的薄膜通常具備良好的均勻性和致密性,適合用于電子、光學(xué)等高性能應(yīng)用。
5. **靈活的氣氛控制**:可以在真空或氣氛環(huán)境中操作,靈活性強(qiáng),適應(yīng)不同的實(shí)驗(yàn)需求。
6. **搬運(yùn)便捷**:許多濺射靶設(shè)計(jì)緊湊,便于實(shí)驗(yàn)室使用和搬運(yùn)。
7. **擴(kuò)展應(yīng)用**:不僅可以用于厚膜沉積,還可以用于微納結(jié)構(gòu)的制作,常用于半導(dǎo)體制造、光電器件等領(lǐng)域。
8. **易于實(shí)現(xiàn)多層膜結(jié)構(gòu)**:通過(guò)控制濺射時(shí)間和靶材,可以輕松實(shí)現(xiàn)多層膜的構(gòu)建,滿(mǎn)足復(fù)雜的功能需求。
濺射靶的這些特點(diǎn)使其成為現(xiàn)代材料科學(xué)和納米技術(shù)研究中的重要工具。

磁控濺射鍍膜機(jī)是一種用于薄膜沉積的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于電子、光學(xué)、太陽(yáng)能、LED等領(lǐng)域。其主要功能包括:
1. **薄膜沉積**:通過(guò)濺射技術(shù),將靶材表面的原子或分子激發(fā)并沉積在基材表面,從而形成薄膜。可以沉積金屬、絕緣體和半導(dǎo)體等多種材料。
2. **膜層均勻性調(diào)控**:通過(guò)調(diào)整濺射參數(shù)(如氣體流量、功率、沉積時(shí)間等),可以控制薄膜的厚度和均勻性,滿(mǎn)足不同應(yīng)用的要求。
3. **材料性質(zhì)優(yōu)化**:可以通過(guò)改變靶材的種類(lèi)、沉積環(huán)境等方式,調(diào)節(jié)薄膜的物理和化學(xué)性質(zhì),如電導(dǎo)率、光學(xué)透過(guò)率等。
4. **多層膜沉積**:可以實(shí)現(xiàn)多層膜的交替沉積,滿(mǎn)足復(fù)雜器件的需求,比如光學(xué)濾光片、傳感器等。
5. **真空環(huán)境**:在真空條件下進(jìn)行沉積,可以減少膜層缺陷,提高膜層的質(zhì)量及其性能。
6. **可控厚度及成分**:通過(guò)控制濺射時(shí)間和功率,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)膜層厚度及化學(xué)成分的準(zhǔn)確調(diào)控,適用于應(yīng)用需求。
7. **適應(yīng)性強(qiáng)**:可以使用多種靶材和基材,廣泛應(yīng)用于不同領(lǐng)域,包括電子器件、光電材料、裝飾性涂層等。
磁控濺射鍍膜機(jī)因其優(yōu)越的沉積過(guò)程和膜層質(zhì)量,在現(xiàn)代材料科學(xué)和工程中占有重要地位。
離子濺射儀是一種廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)和表面分析的儀器,其適用范圍主要包括以下幾個(gè)方面:
1. **薄膜制備**:用于沉積金屬、氧化物及其他材料的薄膜,廣泛應(yīng)用于電子器件、光電材料等領(lǐng)域。
2. **表面分析**:能夠分析材料表面的元素組成和化學(xué)狀態(tài),適用于材料科學(xué)、物理、化學(xué)等研究領(lǐng)域。
3. **樣品清洗**:可以去除樣品表面的污染物和氧化層,提高后續(xù)分析的準(zhǔn)確性。
4. **材料特性研究**:通過(guò)改變離子能量和濺射深度,研究材料的結(jié)構(gòu)、成分及性質(zhì)。
5. **半導(dǎo)體工業(yè)**:在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,離子濺射用于清洗、蝕刻等步驟,確保良好的表面狀態(tài)。
6. **光學(xué)領(lǐng)域**:在光學(xué)器件的制備中,離子濺射用于涂覆光學(xué)薄膜,以滿(mǎn)足特定的光學(xué)性能。
7. **生物材料**:在生物材料的研究中,離子濺射可以用于表面改性,以改善生物相容性和性能。
總之,離子濺射儀是一種多功能的設(shè)備,適用于研究與工業(yè)應(yīng)用中。
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