真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進口Pfeiffer分子泵
前級泵機械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺,300W射頻電源1臺
流量計20sccm/50sccm進口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機LX-300
前級閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設(shè)備機架機電一體化
預(yù)留接口CF35法蘭一個
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
PVD(物相沉積)鍍膜機是一種用于在材料表面形成薄膜涂層的設(shè)備。它廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光學(xué)、硬質(zhì)涂層、裝飾等領(lǐng)域。PVD技術(shù)通過物理方式將材料蒸發(fā)并沉積到基材上,從而形成所需的薄膜。
### PVD鍍膜機的主要組成部分:
1. **真空系統(tǒng)**:用于將腔體抽真空環(huán)境,以減少氣體分子對沉積薄膜的影響。
2. **蒸發(fā)源**:對待鍍材料進行加熱蒸發(fā),常見的有電子束蒸發(fā)、熱蒸發(fā)和濺射等方式。
3. **基材臺**:用于放置待鍍材料,通常具有加熱功能以促進薄膜的生長。
4. **氣體引入系統(tǒng)**:用于控制沉積過程中氣氛的成分,如氬氣、氮氣等。
5. **監(jiān)測系統(tǒng)**:用于實時監(jiān)測沉積過程中的薄膜厚度和質(zhì)量。
### PVD工藝的優(yōu)點:
- **高純度**:由于在高真空環(huán)境下操作,薄膜的化學(xué)成分純度較高。
- **良好的附著力**:沉積膜與基材之間的附著力較好,適用于要求較高的應(yīng)用。
- **多樣化的材料選擇**:可以沉積金屬、氧化物、氮化物等多種材料,滿足不同需求。
### 應(yīng)用范圍:
- **半導(dǎo)體器件**:用于集成電路及微電子器件的制造。
- **光學(xué) coating**:如反射鏡、抗反射膜等。
- **硬質(zhì)涂層**:用于工具和機械部件的保護。
- **裝飾性涂層**:用于電子消費品、珠寶等的表面處理。
### 發(fā)展方向:
隨著科技的進步,PVD鍍膜技術(shù)也在不斷發(fā)展,朝著更高的沉積速率、的膜質(zhì)量和更廣泛的材料適應(yīng)性方向發(fā)展。
濺射靶是一種用于薄膜沉積技術(shù)的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于物理、材料科學(xué)和半導(dǎo)體工業(yè)。其主要功能包括:
1. **物質(zhì)沉積**:通過濺射技術(shù)將靶材(如金屬、合金或氧化物)中的原子或分子打出,并在基材表面形成薄膜。
2. **薄膜均勻性**:濺射靶能夠在較大的面積上實現(xiàn)均勻的薄膜沉積,這對許多應(yīng)用至關(guān)重要。
3. **控制膜厚度**:通過調(diào)整濺射時間、功率和氣氛等參數(shù),可以控制沉積膜的厚度。
4. **材料多樣性**:能夠處理多種不同類型的靶材,適用于不同的應(yīng)用需求。
5. **低溫沉積**:濺射過程通常在較低溫度下進行,因此適合一些熱敏材料的沉積。
6. **量膜**:濺射技術(shù)可制作高致密性、低缺陷的薄膜,適合高性能電子元件和光電器件等。
7. **大面積沉積**:有些濺射靶可以實現(xiàn)大面積的一次性沉積,適合工業(yè)化生產(chǎn)。
8. **功能薄膜制備**:可以用于制備功能性薄膜,如透明導(dǎo)電氧化物(TCO)、磁性薄膜及其他材料。
濺射靶的技術(shù)進步與材料科學(xué)的發(fā)展密切相關(guān),對推動新材料的研究和應(yīng)用起到了重要作用。

桌面型磁控濺射鍍膜儀是一種廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、電子學(xué)、光學(xué)等領(lǐng)域的設(shè)備,其主要功能包括:
1. **薄膜沉積**:可在基材上沉積薄膜,形成不同厚度和成分的薄膜材料。
2. **材料多樣性**:支持多種靶材(如金屬、合金、氧化物等),能夠制作出不同種類的薄膜。
3. **優(yōu)良的膜質(zhì)量**:采用磁控濺射技術(shù),可以有效提高薄膜的均勻性和致密性,提高膜的性能。
4. **可調(diào)節(jié)參數(shù)**:可以調(diào)節(jié)濺射功率、氣體流量、基片溫度等參數(shù),以滿足不同工藝要求。
5. **大面積鍍膜**:由于其設(shè)計,可以適用于大面積基片的鍍膜需求,在科研和工業(yè)生產(chǎn)中具有較高的應(yīng)用價值。
6. **過程控制**:配備監(jiān)測系統(tǒng),可以實時監(jiān)測膜厚度、氣氛等,有助于控制沉積過程。
7. **易于操作**:桌面型的設(shè)計使得設(shè)備更加緊湊,操作相對簡單,適合實驗室環(huán)境使用。
8. **真空技術(shù)**:工作過程中保持真空環(huán)境,減少污染,提高沉積質(zhì)量。
這種設(shè)備在半導(dǎo)體器件制造、光學(xué)涂層、傳感器、太陽能電池等多個領(lǐng)域具有重要應(yīng)用價值。

磁控濺射是一種常用的薄膜沉積技術(shù),具有以下幾個特點:
1. **高沉積速率**:由于使用了磁場增強了等離子體的密度,從而提高了濺射粒子的產(chǎn)生率,能夠?qū)崿F(xiàn)較高的沉積速率。
2. **均勻性**:磁控濺射能夠在較大面積上實現(xiàn)均勻的薄膜沉積,適用于大面積涂層和均勻薄膜的要求。
3. **良好的附著力**:由于濺射過程中粒子能量較高,薄膜與基底之間的附著力較好,減少了薄膜剝離的風(fēng)險。
4. **低溫沉積**:相比于其他沉積技術(shù),磁控濺射可以在相對較低的溫度下進行,適合于對溫度敏感的材料。
5. **多材料沉積**:能夠?qū)崿F(xiàn)多種材料的復(fù)合沉積,包括金屬、絕緣體和半導(dǎo)體等,實現(xiàn)材料的多樣性。
6. **可控性強**:沉積過程中的參數(shù)(如氣體壓力、功率、基板溫度等)對薄膜的性質(zhì)有較大影響,因此可以通過控制這些參數(shù)來調(diào)節(jié)薄膜的厚度和質(zhì)量。
7. **環(huán)保性**:相較于某些化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù),磁控濺射通常不涉及毒性氣體,環(huán)境友好。
這些特點使得磁控濺射在電子、光電、硬涂層等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。

靶材通常是在物理、化學(xué)和材料科學(xué)等領(lǐng)域中使用的一種材料,主要具有以下功能:
1. **靶向作用**:在粒子物理實驗中,靶材可用于吸收入射粒子并產(chǎn)生可觀測的反應(yīng),如在粒子加速器中用作靶。
2. **材料沉積**:在薄膜沉積技術(shù)中,靶材用于將材料蒸發(fā)或濺射到基底上,形成薄膜。這在電子器件、光學(xué)涂層等應(yīng)用中重要。
3. **反應(yīng)介質(zhì)**:在化學(xué)反應(yīng)中,靶材可以作為反應(yīng)物,產(chǎn)生相應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)或物理變化。
4. **能量傳輸**:靶材能夠接收入射粒子的能量并將其轉(zhuǎn)化為其他形式的能量,或以其他方式傳遞能量。
5. **示蹤和檢測**:在放射性同位素研究中,靶材可以用作示蹤劑,幫助檢測和分析現(xiàn)象。
總之,靶材在科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用中扮演著重要的角色,其具體功能根據(jù)應(yīng)用場景的不同而有所差異。
樣品臺是一種用于放置和支撐樣品的實驗設(shè)備,廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域。以下是樣品臺的主要適用范圍:
1. **生物醫(yī)學(xué)研究**:在顯微鏡下觀察細胞、組織切片和其他生物樣品。
2. **材料科學(xué)**:用于測試金屬、聚合物、陶瓷等材料的物理和化學(xué)性質(zhì)。
3. **化學(xué)分析**:在化學(xué)實驗中放置反應(yīng)瓶、試劑和其他化學(xué)物質(zhì)。
4. **電子顯微鏡**:在電子顯微鏡中支撐和固定樣品,以便進行高分辨率觀察。
5. **光學(xué)顯微鏡**:在光學(xué)顯微鏡中觀察細小結(jié)構(gòu)、顆粒和晶體等。
6. **工業(yè)檢測**:用于質(zhì)量控制和檢測產(chǎn)品樣品,如電子元件、機械零件等。
不同類型的樣品臺(如移動樣品臺、平面樣品臺等)可以根據(jù)具體需求進行選擇,以滿足不同實驗或檢測的需求。
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