真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進(jìn)口Pfeiffer分子泵
前級泵機(jī)械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺,300W射頻電源1臺
流量計20sccm/50sccm進(jìn)口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機(jī)LX-300
前級閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進(jìn)口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設(shè)備機(jī)架機(jī)電一體化
預(yù)留接口CF35法蘭一個
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
濺射靶(Sputter Gun)是一種用于材料沉積的設(shè)備,主要應(yīng)用于薄膜技術(shù)和表面工程領(lǐng)域。它的工作原理是通過高能粒子(通常是離子)轟擊靶材,使靶材表面的原子或分子被激發(fā)、釋放,并沉積到襯底或其他表面上。這種方法可以用于制作薄膜,例如金屬、氧化物和氮化物薄膜。
濺射靶通常由以下幾個部分組成:
1. **靶材**:目標(biāo)材料,通常是需要沉積在襯底上的材料。
2. **氣源**:用于生成等離子體的氣體(如氬氣),使離子化的氣體能夠進(jìn)行轟擊。
3. **真空室**:避免空氣干擾和保持良好的沉積環(huán)境。
4. **電源**:提供能量以加速離子轟擊靶材。
濺射沉積技術(shù)因其優(yōu)良的沉積均勻性、良好的附著力以及對材料多樣性的適應(yīng)性,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件制造、光學(xué)涂層、硬質(zhì)涂層等領(lǐng)域。
離子濺射儀是一種廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、半導(dǎo)體制造和表面分析等領(lǐng)域的設(shè)備,其主要特點包括:
1. **高精度**:離子濺射儀能夠在原子或分子層級上進(jìn)行物質(zhì)的去除和沉積,具有的控制精度,適用于微米和納米級別的加工。
2. **多功能性**:該儀器可用于薄膜的沉積、表面清洗、材料分析等多種用途,適應(yīng)性強。
3. **層次控制**:可以實現(xiàn)對材料沉積厚度的控制,可以逐層沉積不同材料,適合制備多層膜結(jié)構(gòu)。
4. **較強的適應(yīng)性**:離子源與靶材的組合可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整,使得該儀器可以處理多種不同類型的材料。
5. **真空環(huán)境**:離子濺射在真空環(huán)境中進(jìn)行,有助于減少氣體分子對沉積過程的干擾,提高沉積質(zhì)量。
6. **可調(diào)節(jié)能量**:離子源可以調(diào)節(jié)離子的能量,從而控制濺射過程中的粒子能量,有利于改善沉積膜的性質(zhì)。
7. **低溫沉積**:相較于傳統(tǒng)的熱沉積方法,離子濺射在較低溫度下即可進(jìn)行,能夠減少熱敏感材料的損傷。
8. **表面改性**:通過選擇合適的離子種類和能量,可以對材料表面進(jìn)行改性,如提高表面硬度或改變表面化學(xué)性質(zhì)。
總的來說,離子濺射儀因其高精度、多功能和良好的適應(yīng)性,在現(xiàn)代材料科學(xué)和工程中發(fā)揮著重要作用。

離子濺射儀是一種用于材料表面分析和處理的設(shè)備,主要功能包括:
1. **材料沉積**:可以用于在基材表面上沉積薄膜,常見于半導(dǎo)體、光電子器件和表面涂層的制造。
2. **表面分析**:通過濺射過程,可以分析材料的成分和結(jié)構(gòu),常用于質(zhì)譜分析和表面分析技術(shù),如時間飛行質(zhì)譜(TOF-MS)。
3. **清潔和去除涂層**:可以去除材料表面的污染物或舊涂層,為后續(xù)處理做好準(zhǔn)備。
4. **再結(jié)晶和表面改性**:可以通過離子轟擊改變材料的表面狀態(tài),如增加薄膜的粘附力、改善光學(xué)性能等。
5. **刻蝕**:在微電子工藝中,用于刻蝕特定區(qū)域,形成所需的圖案和結(jié)構(gòu)。
6. **離子 implantation**:將離子注入材料中,以改變其電學(xué)、光學(xué)或機(jī)械性質(zhì)。
離子濺射儀在材料科學(xué)、微電子、納米技術(shù)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

磁控濺射鍍膜機(jī)是一種常用的薄膜制備設(shè)備,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電器件、光學(xué)涂層等領(lǐng)域。其主要特點包括:
1. **高沉積速率**:磁控濺射技術(shù)能夠在較短時間內(nèi)實現(xiàn)較高的薄膜沉積速率,適用于大規(guī)模生產(chǎn)。
2. **優(yōu)良的膜層均勻性**:由于采用磁場增強了離子的密度,膜層的厚度均勻性和思想性得到了顯著提升。
3. **良好的膜質(zhì)**:磁控濺射沉積的膜層通常具有較高的致密性和優(yōu)良的物理性質(zhì),如低內(nèi)應(yīng)力和高附著力。
4. **適用性廣**:可以對多種材料進(jìn)行沉積,包括金屬、絕緣體和半導(dǎo)體等,適用范圍廣泛。
5. **可控性強**:通過調(diào)節(jié)氣體壓力、功率、目標(biāo)材料和沉積時間等參數(shù),可以控制膜層的厚度和組成。
6. **環(huán)境友好**:相比于其他鍍膜技術(shù),磁控濺射常用的氣體(如氬氣)對環(huán)境危害較小,過程相對環(huán)保。
7. **良好的應(yīng)變控制**:磁控濺射可以在較低的溫度下進(jìn)行,這對于熱敏感材料尤為重要,可以有效控制膜層的應(yīng)變和缺陷。
8. **多功能性**:可通過不同的配置實現(xiàn)多種功能,如多層膜的沉積或不同材料的復(fù)合沉積。
這些特點使得磁控濺射鍍膜機(jī)成為現(xiàn)代薄膜技術(shù)中重要的工具。

靶材是指在實驗或工業(yè)生產(chǎn)中用于材料分析、研究或加工的材料。靶材的特點主要包括以下幾個方面:
1. **成分純度**:靶材通常需要具備高純度,以確保實驗結(jié)果的準(zhǔn)確性和重復(fù)性。
2. **均勻性**:靶材應(yīng)具備良好的均勻性,以避免在物理或化學(xué)反應(yīng)過程中產(chǎn)生不均勻現(xiàn)象,導(dǎo)致測試結(jié)果的偏差。
3. **機(jī)械性能**:靶材的機(jī)械強度、硬度和韌性等性能要求較高,以適應(yīng)不同的加工和使用條件。
4. **熱穩(wěn)定性**:靶材的熱穩(wěn)定性影響其在高溫環(huán)境下的性能,尤其是在氣相沉積等高溫工藝中,需要良好的耐熱性。
5. **反應(yīng)活性**:靶材的表面性質(zhì)和化學(xué)反應(yīng)性對材料的沉積或反應(yīng)過程有重要影響,通常需要設(shè)計出合適的表面處理以優(yōu)化性能。
6. **可加工性**:靶材需易于加工成所需的形狀和尺寸,方便在實驗和生產(chǎn)中使用。
7. **成本**:靶材的經(jīng)濟(jì)性也是一個關(guān)鍵因素,需要在性能和價格之間找到平衡。
靶材的選擇會根據(jù)具體應(yīng)用的需求有所不同,例如在半導(dǎo)體制造、涂層技術(shù)和材料科學(xué)研究中,靶材的特性往往會影響到終產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。
磁控濺射鍍膜機(jī)是一種常見的薄膜沉積設(shè)備,廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域。其適用范圍主要包括:
1. **光電器件**:用于制造太陽能電池、OLED顯示屏、LED等光電元件的導(dǎo)電膜和熒光膜。
2. **半導(dǎo)體器件**:在集成電路生產(chǎn)中,磁控濺射可以用于沉積金屬、氧化物和氮化物薄膜,這些薄膜用于互連、絕緣和摻雜等功能。
3. **光學(xué)涂層**:生產(chǎn)抗反射 coating、反射鏡涂層和其他光學(xué)薄膜,廣泛應(yīng)用于鏡頭、光學(xué)儀器和顯示器上。
4. **硬涂層**:用于制造硬度高、耐磨損的薄膜,在工具、模具等表面進(jìn)行保護(hù)。
5. **磁性材料**:在數(shù)據(jù)存儲和磁性傳感器中,沉積磁性薄膜以實現(xiàn)特定的磁性能。
6. **裝飾涂層**:在家居用品、電子產(chǎn)品外殼等表面進(jìn)行裝飾性鍍膜。
7. **生物醫(yī)學(xué)**:在生物傳感器和器械表面形成或生物相容性薄膜。
由于其良好的膜質(zhì)量和均勻性,磁控濺射鍍膜機(jī)在材料科學(xué)、納米科技等研究領(lǐng)域也有廣泛應(yīng)用。
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