真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進(jìn)口Pfeiffer分子泵
前級泵機(jī)械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺,300W射頻電源1臺
流量計20sccm/50sccm進(jìn)口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機(jī)LX-300
前級閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進(jìn)口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設(shè)備機(jī)架機(jī)電一體化
預(yù)留接口CF35法蘭一個
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
小型磁控濺射鍍膜機(jī)是一種用于材料表面處理和薄膜沉積的設(shè)備。它利用磁控濺射的原理,將靶材上的原子或分子濺射到基材表面,形成薄膜。該機(jī)器適合于科研機(jī)構(gòu)、小型實驗室和生產(chǎn)線中的小批量生產(chǎn)。
### 主要特點:
1. **緊湊設(shè)計**:小型設(shè)備占用空間小,適合不同實驗室環(huán)境。
2. **率**:能夠快速沉積薄膜,提高生產(chǎn)效率。
3. **多功能性**:支持多種靶材,可用于金屬、氧化物、氮化物等不同材料的沉積。
4. **控制**:具備氣體流量、壓強(qiáng)、功率等參數(shù)的控制,便于優(yōu)化沉積條件。
5. **良好的膜質(zhì)量**:能沉積出量的薄膜,適用于光學(xué)、電子、硬膜等領(lǐng)域。
### 應(yīng)用領(lǐng)域:
- 半導(dǎo)體工業(yè)
- 光學(xué)薄膜
- 太陽能電池
- 儲能材料
- 防護(hù)涂層等。
### 注意事項:
- 操作前需熟悉設(shè)備手冊,確保安全使用。
- 定期維護(hù)設(shè)備,保持良好的工作狀態(tài)。
如果你有具體的功能要求或使用場景,可以提供更多信息,以便于給出更詳細(xì)的建議。
磁控濺射鍍膜機(jī)是一種常用的薄膜制備設(shè)備,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電器件、光學(xué)涂層等領(lǐng)域。其主要特點包括:
1. **高沉積速率**:磁控濺射技術(shù)能夠在較短時間內(nèi)實現(xiàn)較高的薄膜沉積速率,適用于大規(guī)模生產(chǎn)。
2. **優(yōu)良的膜層均勻性**:由于采用磁場增強(qiáng)了離子的密度,膜層的厚度均勻性和思想性得到了顯著提升。
3. **良好的膜質(zhì)**:磁控濺射沉積的膜層通常具有較高的致密性和優(yōu)良的物理性質(zhì),如低內(nèi)應(yīng)力和高附著力。
4. **適用性廣**:可以對多種材料進(jìn)行沉積,包括金屬、絕緣體和半導(dǎo)體等,適用范圍廣泛。
5. **可控性強(qiáng)**:通過調(diào)節(jié)氣體壓力、功率、目標(biāo)材料和沉積時間等參數(shù),可以控制膜層的厚度和組成。
6. **環(huán)境友好**:相比于其他鍍膜技術(shù),磁控濺射常用的氣體(如氬氣)對環(huán)境危害較小,過程相對環(huán)保。
7. **良好的應(yīng)變控制**:磁控濺射可以在較低的溫度下進(jìn)行,這對于熱敏感材料尤為重要,可以有效控制膜層的應(yīng)變和缺陷。
8. **多功能性**:可通過不同的配置實現(xiàn)多種功能,如多層膜的沉積或不同材料的復(fù)合沉積。
這些特點使得磁控濺射鍍膜機(jī)成為現(xiàn)代薄膜技術(shù)中重要的工具。

濺射靶是一種用于薄膜沉積技術(shù)的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于物理、材料科學(xué)和半導(dǎo)體工業(yè)。其主要功能包括:
1. **物質(zhì)沉積**:通過濺射技術(shù)將靶材(如金屬、合金或氧化物)中的原子或分子打出,并在基材表面形成薄膜。
2. **薄膜均勻性**:濺射靶能夠在較大的面積上實現(xiàn)均勻的薄膜沉積,這對許多應(yīng)用至關(guān)重要。
3. **控制膜厚度**:通過調(diào)整濺射時間、功率和氣氛等參數(shù),可以控制沉積膜的厚度。
4. **材料多樣性**:能夠處理多種不同類型的靶材,適用于不同的應(yīng)用需求。
5. **低溫沉積**:濺射過程通常在較低溫度下進(jìn)行,因此適合一些熱敏材料的沉積。
6. **量膜**:濺射技術(shù)可制作高致密性、低缺陷的薄膜,適合高性能電子元件和光電器件等。
7. **大面積沉積**:有些濺射靶可以實現(xiàn)大面積的一次性沉積,適合工業(yè)化生產(chǎn)。
8. **功能薄膜制備**:可以用于制備功能性薄膜,如透明導(dǎo)電氧化物(TCO)、磁性薄膜及其他材料。
濺射靶的技術(shù)進(jìn)步與材料科學(xué)的發(fā)展密切相關(guān),對推動新材料的研究和應(yīng)用起到了重要作用。

離子濺射儀是一種用于材料表面分析和處理的設(shè)備,主要功能包括:
1. **材料沉積**:可以用于在基材表面上沉積薄膜,常見于半導(dǎo)體、光電子器件和表面涂層的制造。
2. **表面分析**:通過濺射過程,可以分析材料的成分和結(jié)構(gòu),常用于質(zhì)譜分析和表面分析技術(shù),如時間飛行質(zhì)譜(TOF-MS)。
3. **清潔和去除涂層**:可以去除材料表面的污染物或舊涂層,為后續(xù)處理做好準(zhǔn)備。
4. **再結(jié)晶和表面改性**:可以通過離子轟擊改變材料的表面狀態(tài),如增加薄膜的粘附力、改善光學(xué)性能等。
5. **刻蝕**:在微電子工藝中,用于刻蝕特定區(qū)域,形成所需的圖案和結(jié)構(gòu)。
6. **離子 implantation**:將離子注入材料中,以改變其電學(xué)、光學(xué)或機(jī)械性質(zhì)。
離子濺射儀在材料科學(xué)、微電子、納米技術(shù)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

靶材是指在實驗或工業(yè)生產(chǎn)中用于材料分析、研究或加工的材料。靶材的特點主要包括以下幾個方面:
1. **成分純度**:靶材通常需要具備高純度,以確保實驗結(jié)果的準(zhǔn)確性和重復(fù)性。
2. **均勻性**:靶材應(yīng)具備良好的均勻性,以避免在物理或化學(xué)反應(yīng)過程中產(chǎn)生不均勻現(xiàn)象,導(dǎo)致測試結(jié)果的偏差。
3. **機(jī)械性能**:靶材的機(jī)械強(qiáng)度、硬度和韌性等性能要求較高,以適應(yīng)不同的加工和使用條件。
4. **熱穩(wěn)定性**:靶材的熱穩(wěn)定性影響其在高溫環(huán)境下的性能,尤其是在氣相沉積等高溫工藝中,需要良好的耐熱性。
5. **反應(yīng)活性**:靶材的表面性質(zhì)和化學(xué)反應(yīng)性對材料的沉積或反應(yīng)過程有重要影響,通常需要設(shè)計出合適的表面處理以優(yōu)化性能。
6. **可加工性**:靶材需易于加工成所需的形狀和尺寸,方便在實驗和生產(chǎn)中使用。
7. **成本**:靶材的經(jīng)濟(jì)性也是一個關(guān)鍵因素,需要在性能和價格之間找到平衡。
靶材的選擇會根據(jù)具體應(yīng)用的需求有所不同,例如在半導(dǎo)體制造、涂層技術(shù)和材料科學(xué)研究中,靶材的特性往往會影響到終產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。
PVD(物相沉積)鍍膜機(jī)廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域,其適用范圍包括但不限于:
1. **電子行業(yè)**:用于制造半導(dǎo)體器件、電容器、導(dǎo)電膜、光學(xué)器件等。
2. **太陽能行業(yè)**:用于光伏電池的抗反射膜和導(dǎo)電膜的沉積。
3. **光學(xué)元件**:用于制造鏡頭、濾光片、光學(xué)涂層等,提高光學(xué)性能和耐磨性。
4. **工具和模具**:用于在工具和模具表面鍍膜,以提高耐磨性、耐腐蝕性和降低摩擦。
5. **裝飾和飾品**:用于金屬和非金屬表面的裝飾性鍍膜,如汽車配件、家居用品等。
6. **器械**:用于器械表面鍍膜,以提高生物相容性和性能。
7. **和**:在材料上鍍膜,以提高其性能和耐久性。
PVD技術(shù)因其可以沉積多種材料且能夠控制膜的厚度、組成和質(zhì)量,受到廣泛青睞。
http://m.wenhaozhong.com