真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進口Pfeiffer分子泵
前級泵機械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺,300W射頻電源1臺
流量計20sccm/50sccm進口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機LX-300
前級閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設(shè)備機架機電一體化
預留接口CF35法蘭一個
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
PVD(物相沉積)鍍膜機是一種用于在材料表面沉積薄膜的設(shè)備,廣泛應用于電子、光學、金屬加工等領(lǐng)域。PVD技術(shù)通過物理方法將材料從源頭轉(zhuǎn)移到基材表面,形成均勻的薄膜。PVD鍍膜機主要有以下幾種類型:
1. **蒸發(fā)鍍膜機**:通過加熱材料使其蒸發(fā),然后在基材上沉積形成薄膜。
2. **濺射鍍膜機**:利用高能粒子轟擊靶材,使靶材的原子或分子脫離并沉積在基材上。
3. **分子束外延(MBE)**:在真空環(huán)境下,將源材料以分子束的形式導入基材表面,逐層沉積薄膜。
PVD鍍膜機的優(yōu)點包括:
- 可以沉積材料的薄膜,如金屬、氧化物和氮化物等。
- 薄膜均勻性好,厚度可控。
- 對基材的要求相對較低,適用范圍廣。
在選擇PVD鍍膜機時需要考慮的因素包括沉積材料的種類、基材的性質(zhì)、沉積速率、膜層厚度及所需的真空度等。隨著技術(shù)的發(fā)展,PVD鍍膜機的性能和應用領(lǐng)域也在不斷擴展。
靶材通常是在物理、化學和材料科學等領(lǐng)域中使用的一種材料,主要具有以下功能:
1. **靶向作用**:在粒子物理實驗中,靶材可用于吸收入射粒子并產(chǎn)生可觀測的反應,如在粒子加速器中用作靶。
2. **材料沉積**:在薄膜沉積技術(shù)中,靶材用于將材料蒸發(fā)或濺射到基底上,形成薄膜。這在電子器件、光學涂層等應用中重要。
3. **反應介質(zhì)**:在化學反應中,靶材可以作為反應物,產(chǎn)生相應的化學反應或物理變化。
4. **能量傳輸**:靶材能夠接收入射粒子的能量并將其轉(zhuǎn)化為其他形式的能量,或以其他方式傳遞能量。
5. **示蹤和檢測**:在放射性同位素研究中,靶材可以用作示蹤劑,幫助檢測和分析現(xiàn)象。
總之,靶材在科學研究和工業(yè)應用中扮演著重要的角色,其具體功能根據(jù)應用場景的不同而有所差異。

小型磁控濺射鍍膜機具有以下幾個特點:
1. **占用空間小**:小型設(shè)計使其適合在實驗室或小型生產(chǎn)環(huán)境中使用,便于安裝和操作。
2. **高沉積速率**:磁控濺射技術(shù)通過磁場增強離子化率,從而提高沉積速率,適合快速制備薄膜。
3. **沉積均勻性好**:由于磁場的應用,能夠?qū)崿F(xiàn)較為均勻的薄膜沉積,提高膜層的質(zhì)量和一致性。
4. **適用材料廣泛**:能夠濺射多種金屬、合金及絕緣材料,適應不同的應用需求。
5. **可控性強**:可以控制沉積厚度、沉積速率和氣氛,便于實驗和生產(chǎn)中的參數(shù)調(diào)整。
6. **能**:磁控濺射技術(shù)相對傳統(tǒng)濺射技術(shù)能量損耗較小,效率較高,有助于降低生產(chǎn)成本。
7. **多靶配置**:一些小型鍍膜機支持多靶配置,能夠同時沉積不同材料,適應復雜的薄膜制備需求。
8. **易于維護**:小型設(shè)備一般結(jié)構(gòu)簡單,便于操作和維護,適合實驗室的日常使用。
9. **環(huán)境友好**:多數(shù)小型磁控濺射鍍膜機可以使用低氣壓條件下工作,減少揮發(fā)性有機物等污染。
這些特點使得小型磁控濺射鍍膜機在科研、電子、光學及功能性涂層等領(lǐng)域具有廣泛的應用前景。

濺射靶是一種廣泛應用于物理、材料科學和納米技術(shù)等領(lǐng)域的設(shè)備,主要用于薄膜的沉積。其特點包括:
1. **高精度沉積**:濺射靶能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的薄膜沉積,控制膜層的厚度和組成。
2. **多種材料適用性**:能夠使用金屬、合金、陶瓷等多種靶材進行沉積,適用范圍廣泛。
3. **較低的沉積溫度**:與其他沉積技術(shù)(如化學氣相沉積)相比,濺射沉積可以在較低的溫度下進行,有助于保護基材。
4. **良好的膜質(zhì)量**:沉積的薄膜通常具備良好的均勻性和致密性,適合用于電子、光學等高性能應用。
5. **靈活的氣氛控制**:可以在真空或氣氛環(huán)境中操作,靈活性強,適應不同的實驗需求。
6. **搬運便捷**:許多濺射靶設(shè)計緊湊,便于實驗室使用和搬運。
7. **擴展應用**:不僅可以用于厚膜沉積,還可以用于微納結(jié)構(gòu)的制作,常用于半導體制造、光電器件等領(lǐng)域。
8. **易于實現(xiàn)多層膜結(jié)構(gòu)**:通過控制濺射時間和靶材,可以輕松實現(xiàn)多層膜的構(gòu)建,滿足復雜的功能需求。
濺射靶的這些特點使其成為現(xiàn)代材料科學和納米技術(shù)研究中的重要工具。

磁控濺射鍍膜機是一種常用的薄膜制備設(shè)備,廣泛應用于半導體、光電器件、光學涂層等領(lǐng)域。其主要特點包括:
1. **高沉積速率**:磁控濺射技術(shù)能夠在較短時間內(nèi)實現(xiàn)較高的薄膜沉積速率,適用于大規(guī)模生產(chǎn)。
2. **優(yōu)良的膜層均勻性**:由于采用磁場增強了離子的密度,膜層的厚度均勻性和思想性得到了顯著提升。
3. **良好的膜質(zhì)**:磁控濺射沉積的膜層通常具有較高的致密性和優(yōu)良的物理性質(zhì),如低內(nèi)應力和高附著力。
4. **適用性廣**:可以對多種材料進行沉積,包括金屬、絕緣體和半導體等,適用范圍廣泛。
5. **可控性強**:通過調(diào)節(jié)氣體壓力、功率、目標材料和沉積時間等參數(shù),可以控制膜層的厚度和組成。
6. **環(huán)境友好**:相比于其他鍍膜技術(shù),磁控濺射常用的氣體(如氬氣)對環(huán)境危害較小,過程相對環(huán)保。
7. **良好的應變控制**:磁控濺射可以在較低的溫度下進行,這對于熱敏感材料尤為重要,可以有效控制膜層的應變和缺陷。
8. **多功能性**:可通過不同的配置實現(xiàn)多種功能,如多層膜的沉積或不同材料的復合沉積。
這些特點使得磁控濺射鍍膜機成為現(xiàn)代薄膜技術(shù)中重要的工具。
濺射靶(Sputter Gun)主要用于物相沉積(PVD)技術(shù)中的薄膜生長。其適用范圍包括但不限于以下幾個領(lǐng)域:
1. **半導體制造**:用于沉積金屬、氧化物等材料,以制作電子器件中的導電層和絕緣層。
2. **光學涂層**:在光學設(shè)備中應用,如鏡頭、濾光片等,增加其反射、透射或抗反射性能。
3. **太陽能電池**:用于沉積薄膜材料,以提高光電轉(zhuǎn)換效率。
4. **硬涂層**:在工具、機械零部件上沉積硬質(zhì)涂層,提升耐磨性和耐腐蝕性。
5. **裝飾性涂層**:在產(chǎn)品表面沉積金屬或合成材料涂層,提升美觀和防護性能。
6. **磁記錄媒體**:用于制造磁盤和磁帶等數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。
7. **生物醫(yī)學應用**:在器械及生物材料上沉積涂層,改善其生物相容性和性能。
濺射靶因其能夠沉積均勻、致密的薄膜,以及適用多種材料,廣泛應用于現(xiàn)代材料科學與工程領(lǐng)域。
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