真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進(jìn)口Pfeiffer分子泵
前級(jí)泵機(jī)械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺(tái),300W射頻電源1臺(tái)
流量計(jì)20sccm/50sccm進(jìn)口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機(jī)LX-300
前級(jí)閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺(tái)Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進(jìn)口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設(shè)備機(jī)架機(jī)電一體化
預(yù)留接口CF35法蘭一個(gè)
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
濺射靶(Sputter Gun)是一種用于材料沉積的設(shè)備,主要應(yīng)用于薄膜技術(shù)和表面工程領(lǐng)域。它的工作原理是通過高能粒子(通常是離子)轟擊靶材,使靶材表面的原子或分子被激發(fā)、釋放,并沉積到襯底或其他表面上。這種方法可以用于制作薄膜,例如金屬、氧化物和氮化物薄膜。
濺射靶通常由以下幾個(gè)部分組成:
1. **靶材**:目標(biāo)材料,通常是需要沉積在襯底上的材料。
2. **氣源**:用于生成等離子體的氣體(如氬氣),使離子化的氣體能夠進(jìn)行轟擊。
3. **真空室**:避免空氣干擾和保持良好的沉積環(huán)境。
4. **電源**:提供能量以加速離子轟擊靶材。
濺射沉積技術(shù)因其優(yōu)良的沉積均勻性、良好的附著力以及對(duì)材料多樣性的適應(yīng)性,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件制造、光學(xué)涂層、硬質(zhì)涂層等領(lǐng)域。
靶材是指在實(shí)驗(yàn)或工業(yè)生產(chǎn)中用于材料分析、研究或加工的材料。靶材的特點(diǎn)主要包括以下幾個(gè)方面:
1. **成分純度**:靶材通常需要具備高純度,以確保實(shí)驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性和重復(fù)性。
2. **均勻性**:靶材應(yīng)具備良好的均勻性,以避免在物理或化學(xué)反應(yīng)過程中產(chǎn)生不均勻現(xiàn)象,導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果的偏差。
3. **機(jī)械性能**:靶材的機(jī)械強(qiáng)度、硬度和韌性等性能要求較高,以適應(yīng)不同的加工和使用條件。
4. **熱穩(wěn)定性**:靶材的熱穩(wěn)定性影響其在高溫環(huán)境下的性能,尤其是在氣相沉積等高溫工藝中,需要良好的耐熱性。
5. **反應(yīng)活性**:靶材的表面性質(zhì)和化學(xué)反應(yīng)性對(duì)材料的沉積或反應(yīng)過程有重要影響,通常需要設(shè)計(jì)出合適的表面處理以優(yōu)化性能。
6. **可加工性**:靶材需易于加工成所需的形狀和尺寸,方便在實(shí)驗(yàn)和生產(chǎn)中使用。
7. **成本**:靶材的經(jīng)濟(jì)性也是一個(gè)關(guān)鍵因素,需要在性能和價(jià)格之間找到平衡。
靶材的選擇會(huì)根據(jù)具體應(yīng)用的需求有所不同,例如在半導(dǎo)體制造、涂層技術(shù)和材料科學(xué)研究中,靶材的特性往往會(huì)影響到終產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。

PVD(物相沉積)鍍膜機(jī)是一種用于在基材表面沉積薄膜的設(shè)備。其主要功能包括:
1. **薄膜沉積**:通過物相沉積方法,PVD鍍膜機(jī)可以在基材表面沉積金屬、合金、氧化物、氮化物等薄膜材料,用于改善表面性能。
2. **表面改性**:通過鍍膜,可以提高基材的耐磨性、耐腐蝕性、抗氧化性等,延長(zhǎng)材料的使用壽命。
3. **功能涂層**:PVD鍍膜可以賦予材料特定的功能,例如光學(xué)性能(反射、透射)、導(dǎo)電性能、熱導(dǎo)性等,適用于電子、光學(xué)等行業(yè)。
4. **裝飾效果**:在一些應(yīng)用中,PVD鍍膜機(jī)可用于實(shí)現(xiàn)裝飾性涂層,提高產(chǎn)品的美觀性和附加值。
5. **薄膜**:PVD技術(shù)能夠在較低的溫度下沉積量的薄膜,適合用于一些熱敏材料的表面處理。
6. **環(huán)境友好**:相比于化學(xué)鍍膜方法,PVD過程通常不需要使用有毒化學(xué)物質(zhì),減小了對(duì)環(huán)境的影響。
7. **可控性強(qiáng)**:PVD鍍膜機(jī)可以控制膜厚、沉積速率等參數(shù),實(shí)現(xiàn)高重復(fù)性和一致性的薄膜性能。
總之,PVD鍍膜機(jī)在現(xiàn)代制造業(yè)中發(fā)揮著重要作用,廣泛應(yīng)用于電子、光學(xué)、汽車、等多個(gè)領(lǐng)域。

濺射靶是一種用于薄膜沉積技術(shù)的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于物理、材料科學(xué)和半導(dǎo)體工業(yè)。其主要功能包括:
1. **物質(zhì)沉積**:通過濺射技術(shù)將靶材(如金屬、合金或氧化物)中的原子或分子打出,并在基材表面形成薄膜。
2. **薄膜均勻性**:濺射靶能夠在較大的面積上實(shí)現(xiàn)均勻的薄膜沉積,這對(duì)許多應(yīng)用至關(guān)重要。
3. **控制膜厚度**:通過調(diào)整濺射時(shí)間、功率和氣氛等參數(shù),可以控制沉積膜的厚度。
4. **材料多樣性**:能夠處理多種不同類型的靶材,適用于不同的應(yīng)用需求。
5. **低溫沉積**:濺射過程通常在較低溫度下進(jìn)行,因此適合一些熱敏材料的沉積。
6. **量膜**:濺射技術(shù)可制作高致密性、低缺陷的薄膜,適合高性能電子元件和光電器件等。
7. **大面積沉積**:有些濺射靶可以實(shí)現(xiàn)大面積的一次性沉積,適合工業(yè)化生產(chǎn)。
8. **功能薄膜制備**:可以用于制備功能性薄膜,如透明導(dǎo)電氧化物(TCO)、磁性薄膜及其他材料。
濺射靶的技術(shù)進(jìn)步與材料科學(xué)的發(fā)展密切相關(guān),對(duì)推動(dòng)新材料的研究和應(yīng)用起到了重要作用。

離子濺射儀是一種用于材料表面分析和處理的設(shè)備,主要功能包括:
1. **材料沉積**:可以用于在基材表面上沉積薄膜,常見于半導(dǎo)體、光電子器件和表面涂層的制造。
2. **表面分析**:通過濺射過程,可以分析材料的成分和結(jié)構(gòu),常用于質(zhì)譜分析和表面分析技術(shù),如時(shí)間飛行質(zhì)譜(TOF-MS)。
3. **清潔和去除涂層**:可以去除材料表面的污染物或舊涂層,為后續(xù)處理做好準(zhǔn)備。
4. **再結(jié)晶和表面改性**:可以通過離子轟擊改變材料的表面狀態(tài),如增加薄膜的粘附力、改善光學(xué)性能等。
5. **刻蝕**:在微電子工藝中,用于刻蝕特定區(qū)域,形成所需的圖案和結(jié)構(gòu)。
6. **離子 implantation**:將離子注入材料中,以改變其電學(xué)、光學(xué)或機(jī)械性質(zhì)。
離子濺射儀在材料科學(xué)、微電子、納米技術(shù)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
樣品臺(tái)是一種用于放置和支撐樣品的實(shí)驗(yàn)設(shè)備,廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域。以下是樣品臺(tái)的主要適用范圍:
1. **生物醫(yī)學(xué)研究**:在顯微鏡下觀察細(xì)胞、組織切片和其他生物樣品。
2. **材料科學(xué)**:用于測(cè)試金屬、聚合物、陶瓷等材料的物理和化學(xué)性質(zhì)。
3. **化學(xué)分析**:在化學(xué)實(shí)驗(yàn)中放置反應(yīng)瓶、試劑和其他化學(xué)物質(zhì)。
4. **電子顯微鏡**:在電子顯微鏡中支撐和固定樣品,以便進(jìn)行高分辨率觀察。
5. **光學(xué)顯微鏡**:在光學(xué)顯微鏡中觀察細(xì)小結(jié)構(gòu)、顆粒和晶體等。
6. **工業(yè)檢測(cè)**:用于質(zhì)量控制和檢測(cè)產(chǎn)品樣品,如電子元件、機(jī)械零件等。
不同類型的樣品臺(tái)(如移動(dòng)樣品臺(tái)、平面樣品臺(tái)等)可以根據(jù)具體需求進(jìn)行選擇,以滿足不同實(shí)驗(yàn)或檢測(cè)的需求。
http://m.wenhaozhong.com