真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進(jìn)口Pfeiffer分子泵
前級泵機(jī)械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺,300W射頻電源1臺
流量計20sccm/50sccm進(jìn)口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機(jī)LX-300
前級閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進(jìn)口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設(shè)備機(jī)架機(jī)電一體化
預(yù)留接口CF35法蘭一個
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
PVD(物相沉積)鍍膜機(jī)是一種用于在材料表面沉積薄膜的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于電子、光學(xué)、金屬加工等領(lǐng)域。PVD技術(shù)通過物理方法將材料從源頭轉(zhuǎn)移到基材表面,形成均勻的薄膜。PVD鍍膜機(jī)主要有以下幾種類型:
1. **蒸發(fā)鍍膜機(jī)**:通過加熱材料使其蒸發(fā),然后在基材上沉積形成薄膜。
2. **濺射鍍膜機(jī)**:利用高能粒子轟擊靶材,使靶材的原子或分子脫離并沉積在基材上。
3. **分子束外延(MBE)**:在真空環(huán)境下,將源材料以分子束的形式導(dǎo)入基材表面,逐層沉積薄膜。
PVD鍍膜機(jī)的優(yōu)點(diǎn)包括:
- 可以沉積材料的薄膜,如金屬、氧化物和氮化物等。
- 薄膜均勻性好,厚度可控。
- 對基材的要求相對較低,適用范圍廣。
在選擇PVD鍍膜機(jī)時需要考慮的因素包括沉積材料的種類、基材的性質(zhì)、沉積速率、膜層厚度及所需的真空度等。隨著技術(shù)的發(fā)展,PVD鍍膜機(jī)的性能和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。
樣品臺通常用于科學(xué)實驗、顯微鏡觀察及工業(yè)測試等領(lǐng)域,其主要功能包括:
1. **支撐樣品**:樣品臺提供一個穩(wěn)定的表面,用于放置和支撐待觀察或測試的樣品。
2. **調(diào)整位置**:許多樣品臺具有可調(diào)節(jié)的機(jī)制,允許用戶定位樣品,以便于觀察和分析。
3. **光學(xué)觀察**:在顯微鏡等光學(xué)設(shè)備中,樣品臺能夠在光束的照射下,讓研究人員清晰觀察樣品的細(xì)節(jié)。
4. **溫度控制**:一些樣品臺具有溫控功能,可以在特定的溫度條件下實驗,適用于生物樣品的觀測。
5. **樣品固定**:樣品臺上通常會配備夾具或黏合劑,以確保樣品在觀察或測試過程中移動。
6. **兼容性**:許多樣品臺設(shè)計為能夠與不同類型的設(shè)備(如顯微鏡、光譜儀等)兼容,便于科學(xué)研究。
7. **數(shù)據(jù)記錄**:某些樣品臺配備傳感器,可以實時記錄樣品的變化,便于后續(xù)分析。
以上是樣品臺的一些主要功能,具體功能可能根據(jù)不同的應(yīng)用領(lǐng)域和設(shè)備類型而有所不同。

磁控濺射是一種常用的薄膜沉積技術(shù),具有以下幾個特點(diǎn):
1. **高沉積速率**:由于使用了磁場增強(qiáng)了等離子體的密度,從而提高了濺射粒子的產(chǎn)生率,能夠?qū)崿F(xiàn)較高的沉積速率。
2. **均勻性**:磁控濺射能夠在較大面積上實現(xiàn)均勻的薄膜沉積,適用于大面積涂層和均勻薄膜的要求。
3. **良好的附著力**:由于濺射過程中粒子能量較高,薄膜與基底之間的附著力較好,減少了薄膜剝離的風(fēng)險。
4. **低溫沉積**:相比于其他沉積技術(shù),磁控濺射可以在相對較低的溫度下進(jìn)行,適合于對溫度敏感的材料。
5. **多材料沉積**:能夠?qū)崿F(xiàn)多種材料的復(fù)合沉積,包括金屬、絕緣體和半導(dǎo)體等,實現(xiàn)材料的多樣性。
6. **可控性強(qiáng)**:沉積過程中的參數(shù)(如氣體壓力、功率、基板溫度等)對薄膜的性質(zhì)有較大影響,因此可以通過控制這些參數(shù)來調(diào)節(jié)薄膜的厚度和質(zhì)量。
7. **環(huán)保性**:相較于某些化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù),磁控濺射通常不涉及毒性氣體,環(huán)境友好。
這些特點(diǎn)使得磁控濺射在電子、光電、硬涂層等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。

離子濺射儀是一種廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、半導(dǎo)體制造和表面分析等領(lǐng)域的設(shè)備,其主要特點(diǎn)包括:
1. **高精度**:離子濺射儀能夠在原子或分子層級上進(jìn)行物質(zhì)的去除和沉積,具有的控制精度,適用于微米和納米級別的加工。
2. **多功能性**:該儀器可用于薄膜的沉積、表面清洗、材料分析等多種用途,適應(yīng)性強(qiáng)。
3. **層次控制**:可以實現(xiàn)對材料沉積厚度的控制,可以逐層沉積不同材料,適合制備多層膜結(jié)構(gòu)。
4. **較強(qiáng)的適應(yīng)性**:離子源與靶材的組合可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整,使得該儀器可以處理多種不同類型的材料。
5. **真空環(huán)境**:離子濺射在真空環(huán)境中進(jìn)行,有助于減少氣體分子對沉積過程的干擾,提高沉積質(zhì)量。
6. **可調(diào)節(jié)能量**:離子源可以調(diào)節(jié)離子的能量,從而控制濺射過程中的粒子能量,有利于改善沉積膜的性質(zhì)。
7. **低溫沉積**:相較于傳統(tǒng)的熱沉積方法,離子濺射在較低溫度下即可進(jìn)行,能夠減少熱敏感材料的損傷。
8. **表面改性**:通過選擇合適的離子種類和能量,可以對材料表面進(jìn)行改性,如提高表面硬度或改變表面化學(xué)性質(zhì)。
總的來說,離子濺射儀因其高精度、多功能和良好的適應(yīng)性,在現(xiàn)代材料科學(xué)和工程中發(fā)揮著重要作用。

濺射靶是一種廣泛應(yīng)用于物理、材料科學(xué)和納米技術(shù)等領(lǐng)域的設(shè)備,主要用于薄膜的沉積。其特點(diǎn)包括:
1. **高精度沉積**:濺射靶能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的薄膜沉積,控制膜層的厚度和組成。
2. **多種材料適用性**:能夠使用金屬、合金、陶瓷等多種靶材進(jìn)行沉積,適用范圍廣泛。
3. **較低的沉積溫度**:與其他沉積技術(shù)(如化學(xué)氣相沉積)相比,濺射沉積可以在較低的溫度下進(jìn)行,有助于保護(hù)基材。
4. **良好的膜質(zhì)量**:沉積的薄膜通常具備良好的均勻性和致密性,適合用于電子、光學(xué)等高性能應(yīng)用。
5. **靈活的氣氛控制**:可以在真空或氣氛環(huán)境中操作,靈活性強(qiáng),適應(yīng)不同的實驗需求。
6. **搬運(yùn)便捷**:許多濺射靶設(shè)計緊湊,便于實驗室使用和搬運(yùn)。
7. **擴(kuò)展應(yīng)用**:不僅可以用于厚膜沉積,還可以用于微納結(jié)構(gòu)的制作,常用于半導(dǎo)體制造、光電器件等領(lǐng)域。
8. **易于實現(xiàn)多層膜結(jié)構(gòu)**:通過控制濺射時間和靶材,可以輕松實現(xiàn)多層膜的構(gòu)建,滿足復(fù)雜的功能需求。
濺射靶的這些特點(diǎn)使其成為現(xiàn)代材料科學(xué)和納米技術(shù)研究中的重要工具。
磁控濺射是一種常用的薄膜沉積技術(shù),廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域。其適用范圍包括:
1. **半導(dǎo)體制造**:用于沉積導(dǎo)電、絕緣和半導(dǎo)體材料的薄膜,如鋁、銅、氧化硅和氮化硅等。
2. **光電器件**:在制造光電元件(如太陽能電池、LED)的過程中,用于沉積透明導(dǎo)電氧化物(如ITO)。
3. **裝飾涂層**:用于金屬或陶瓷表面的裝飾性和保護(hù)性涂層,如金屬鍍層和顏色層。
4. **硬質(zhì)涂層**:在工具和機(jī)械部件上沉積硬質(zhì)涂層以提高耐磨性和硬度。
5. **磁性材料**:沉積高性能磁性薄膜,廣泛應(yīng)用于磁存儲器件和傳感器。
6. **醫(yī)用材料**:用于生物材料的開發(fā),如藥物釋放系統(tǒng)和生物相容性涂層。
7. **微電子器件**:在MEMS和NEMS器件制造中,形成關(guān)鍵的功能薄膜。
磁控濺射因其優(yōu)良的沉積均勻性、良好的附著力和廣泛的材料適用性,成為許多高科技領(lǐng)域中重要的薄膜沉積技術(shù)。
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