真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進(jìn)口Pfeiffer分子泵
前級泵機(jī)械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺,300W射頻電源1臺
流量計(jì)20sccm/50sccm進(jìn)口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機(jī)LX-300
前級閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進(jìn)口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設(shè)備機(jī)架機(jī)電一體化
預(yù)留接口CF35法蘭一個(gè)
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
靶材通常是指在物理實(shí)驗(yàn)、材料科學(xué)或工業(yè)應(yīng)用中用作靶的材料。在實(shí)驗(yàn)中,靶材可以被用來接收粒子束的撞擊,如在粒子加速器中,靶材用于產(chǎn)生射線或其他物理現(xiàn)象。在材料科學(xué)中,靶材常用于薄膜沉積技術(shù),如濺射或蒸發(fā)鍍膜,以形成特定的薄膜材料。
靶材的種類和特性會根據(jù)其應(yīng)用而有所不同,例如金屬靶、陶瓷靶或復(fù)合材料靶。選擇合適的靶材可以影響到實(shí)驗(yàn)的結(jié)果、材料的性質(zhì)以及終產(chǎn)品的性能。你想了解靶材的哪個(gè)方面呢?
小型磁控濺射鍍膜機(jī)是一種常用于材料表面處理的設(shè)備,它的主要功能包括:
1. **薄膜沉積**:能夠在基材表面沉積金屬、絕緣體或半導(dǎo)體薄膜,廣泛應(yīng)用于電子、光學(xué)和材料科學(xué)等領(lǐng)域。
2. **均勻性**:通過磁控濺射技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)良好的膜厚均勻性和致密性,有助于提高薄膜性能。
3. **可調(diào)性**:用戶可以根據(jù)不同的需求調(diào)整沉積參數(shù),如功率、氣壓和氣體成分,以獲得的沉積效果。
4. **多種材料選擇**:支持多種靶材的使用,能夠沉積不同材料的薄膜,如鋁、銅、氮化硅等。
5. **快速成膜**:小型磁控濺射鍍膜機(jī)相對快速,適合小批量實(shí)驗(yàn)或研發(fā)。
6. **低溫沉積**:允許在較低溫度下進(jìn)行沉積,有助于減少基材的熱負(fù)荷,適合對熱敏感材料的處理。
7. **簡單操作**:由于其結(jié)構(gòu)緊湊且操作相對簡單,適合實(shí)驗(yàn)室和小規(guī)模生產(chǎn)使用。
這些功能使得小型磁控濺射鍍膜機(jī)在科研、工業(yè)和教學(xué)等多個(gè)領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。

磁控濺射是一種常用的薄膜沉積技術(shù),具有以下幾個(gè)特點(diǎn):
1. **高沉積速率**:由于使用了磁場增強(qiáng)了等離子體的密度,從而提高了濺射粒子的產(chǎn)生率,能夠?qū)崿F(xiàn)較高的沉積速率。
2. **均勻性**:磁控濺射能夠在較大面積上實(shí)現(xiàn)均勻的薄膜沉積,適用于大面積涂層和均勻薄膜的要求。
3. **良好的附著力**:由于濺射過程中粒子能量較高,薄膜與基底之間的附著力較好,減少了薄膜剝離的風(fēng)險(xiǎn)。
4. **低溫沉積**:相比于其他沉積技術(shù),磁控濺射可以在相對較低的溫度下進(jìn)行,適合于對溫度敏感的材料。
5. **多材料沉積**:能夠?qū)崿F(xiàn)多種材料的復(fù)合沉積,包括金屬、絕緣體和半導(dǎo)體等,實(shí)現(xiàn)材料的多樣性。
6. **可控性強(qiáng)**:沉積過程中的參數(shù)(如氣體壓力、功率、基板溫度等)對薄膜的性質(zhì)有較大影響,因此可以通過控制這些參數(shù)來調(diào)節(jié)薄膜的厚度和質(zhì)量。
7. **環(huán)保性**:相較于某些化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù),磁控濺射通常不涉及毒性氣體,環(huán)境友好。
這些特點(diǎn)使得磁控濺射在電子、光電、硬涂層等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。

磁控濺射鍍膜機(jī)是一種用于薄膜沉積的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于電子、光學(xué)、太陽能、LED等領(lǐng)域。其主要功能包括:
1. **薄膜沉積**:通過濺射技術(shù),將靶材表面的原子或分子激發(fā)并沉積在基材表面,從而形成薄膜。可以沉積金屬、絕緣體和半導(dǎo)體等多種材料。
2. **膜層均勻性調(diào)控**:通過調(diào)整濺射參數(shù)(如氣體流量、功率、沉積時(shí)間等),可以控制薄膜的厚度和均勻性,滿足不同應(yīng)用的要求。
3. **材料性質(zhì)優(yōu)化**:可以通過改變靶材的種類、沉積環(huán)境等方式,調(diào)節(jié)薄膜的物理和化學(xué)性質(zhì),如電導(dǎo)率、光學(xué)透過率等。
4. **多層膜沉積**:可以實(shí)現(xiàn)多層膜的交替沉積,滿足復(fù)雜器件的需求,比如光學(xué)濾光片、傳感器等。
5. **真空環(huán)境**:在真空條件下進(jìn)行沉積,可以減少膜層缺陷,提高膜層的質(zhì)量及其性能。
6. **可控厚度及成分**:通過控制濺射時(shí)間和功率,可以實(shí)現(xiàn)對膜層厚度及化學(xué)成分的準(zhǔn)確調(diào)控,適用于應(yīng)用需求。
7. **適應(yīng)性強(qiáng)**:可以使用多種靶材和基材,廣泛應(yīng)用于不同領(lǐng)域,包括電子器件、光電材料、裝飾性涂層等。
磁控濺射鍍膜機(jī)因其優(yōu)越的沉積過程和膜層質(zhì)量,在現(xiàn)代材料科學(xué)和工程中占有重要地位。

濺射靶是一種用于薄膜沉積技術(shù)的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于物理、材料科學(xué)和半導(dǎo)體工業(yè)。其主要功能包括:
1. **物質(zhì)沉積**:通過濺射技術(shù)將靶材(如金屬、合金或氧化物)中的原子或分子打出,并在基材表面形成薄膜。
2. **薄膜均勻性**:濺射靶能夠在較大的面積上實(shí)現(xiàn)均勻的薄膜沉積,這對許多應(yīng)用至關(guān)重要。
3. **控制膜厚度**:通過調(diào)整濺射時(shí)間、功率和氣氛等參數(shù),可以控制沉積膜的厚度。
4. **材料多樣性**:能夠處理多種不同類型的靶材,適用于不同的應(yīng)用需求。
5. **低溫沉積**:濺射過程通常在較低溫度下進(jìn)行,因此適合一些熱敏材料的沉積。
6. **量膜**:濺射技術(shù)可制作高致密性、低缺陷的薄膜,適合高性能電子元件和光電器件等。
7. **大面積沉積**:有些濺射靶可以實(shí)現(xiàn)大面積的一次性沉積,適合工業(yè)化生產(chǎn)。
8. **功能薄膜制備**:可以用于制備功能性薄膜,如透明導(dǎo)電氧化物(TCO)、磁性薄膜及其他材料。
濺射靶的技術(shù)進(jìn)步與材料科學(xué)的發(fā)展密切相關(guān),對推動(dòng)新材料的研究和應(yīng)用起到了重要作用。
靶材的適用范圍主要取決于其材料特性和應(yīng)用領(lǐng)域。以下是一些常見的靶材及其適用范圍:
1. **金屬靶材**:常用于沉積和涂層技術(shù),如磁控濺射、物相沉積(PVD)等。可以用于制造半導(dǎo)體、光電器件及表面處理等。
2. **陶瓷靶材**:通常用于高溫應(yīng)用和特殊電子器件的制造,具有良好的耐腐蝕性和耐高溫性能。
3. **復(fù)合材料靶材**:用于需要輕量化和高強(qiáng)度的應(yīng)用,如、汽車工業(yè)等。
4. **聚合物靶材**:適用于某些特殊的涂層和薄膜技術(shù),常用于電子產(chǎn)品和光學(xué)設(shè)備中。
5. **稀土金屬靶材**:應(yīng)用于特殊磁性材料和激光器的制造。
6. **生物靶材**:在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域中使用,用于制造生物相容性材料和藥物載體。
靶材的選擇不僅影響終產(chǎn)品的性能,還會對生產(chǎn)工藝和成本產(chǎn)生影響。因此,在選擇靶材時(shí),需根據(jù)具體的應(yīng)用需求進(jìn)行綜合考慮。
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