真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進(jìn)口Pfeiffer分子泵
前級泵機(jī)械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺,300W射頻電源1臺
流量計20sccm/50sccm進(jìn)口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機(jī)LX-300
前級閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進(jìn)口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設(shè)備機(jī)架機(jī)電一體化
預(yù)留接口CF35法蘭一個
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
磁控濺射(Magnetron Sputtering)是一種薄膜沉積技術(shù),廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電子、光學(xué)涂層和傳感器等領(lǐng)域。該技術(shù)通過以下幾個步驟實(shí)現(xiàn)材料的沉積:
1. **靶材準(zhǔn)備**:磁控濺射系統(tǒng)中通常使用金屬、合金或陶瓷作為靶材。
2. **氣體引入**:在真空腔內(nèi)引入惰性氣體(如氬氣),并將腔體抽真空,以降低氣體的分子數(shù)量,從而減小氣體分子碰撞的影響。
3. **放電與等離子體生成**:通過施加高電壓,將靶材和基材之間的氣體電離,形成等離子體。等離子體中的氣離子會被加速并撞擊靶材。
4. **濺射過程**:氣離子在靶材表面撞擊時,會導(dǎo)致靶材原子脫離表面,并以高能量飛向基材表面,從而在基材上形成薄膜。
5. **薄膜沉積**:脫離靶材的原子在基材上沉積,逐漸形成所需的薄膜結(jié)構(gòu)。
磁控濺射的主要優(yōu)點(diǎn)包括:能夠在較低的溫度下進(jìn)行沉積,適用于多種材料(如金屬、陶瓷和復(fù)合材料),以及沉積速率快且膜質(zhì)量高。此外,磁控濺射系統(tǒng)通常配備有磁場,用于增強(qiáng)離子化效率,提高沉積速率和膜質(zhì)量。
這種技術(shù)在光學(xué)、電子、裝飾等領(lǐng)域擁有廣泛的應(yīng)用,如制造反射鏡、抗反射涂層、導(dǎo)電薄膜等。
桌面型磁控濺射鍍膜儀是一種廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、電子學(xué)、光學(xué)等領(lǐng)域的設(shè)備,其主要功能包括:
1. **薄膜沉積**:可在基材上沉積薄膜,形成不同厚度和成分的薄膜材料。
2. **材料多樣性**:支持多種靶材(如金屬、合金、氧化物等),能夠制作出不同種類的薄膜。
3. **優(yōu)良的膜質(zhì)量**:采用磁控濺射技術(shù),可以有效提高薄膜的均勻性和致密性,提高膜的性能。
4. **可調(diào)節(jié)參數(shù)**:可以調(diào)節(jié)濺射功率、氣體流量、基片溫度等參數(shù),以滿足不同工藝要求。
5. **大面積鍍膜**:由于其設(shè)計,可以適用于大面積基片的鍍膜需求,在科研和工業(yè)生產(chǎn)中具有較高的應(yīng)用價值。
6. **過程控制**:配備監(jiān)測系統(tǒng),可以實(shí)時監(jiān)測膜厚度、氣氛等,有助于控制沉積過程。
7. **易于操作**:桌面型的設(shè)計使得設(shè)備更加緊湊,操作相對簡單,適合實(shí)驗(yàn)室環(huán)境使用。
8. **真空技術(shù)**:工作過程中保持真空環(huán)境,減少污染,提高沉積質(zhì)量。
這種設(shè)備在半導(dǎo)體器件制造、光學(xué)涂層、傳感器、太陽能電池等多個領(lǐng)域具有重要應(yīng)用價值。

小型磁控濺射鍍膜機(jī)具有以下幾個特點(diǎn):
1. **占用空間小**:小型設(shè)計使其適合在實(shí)驗(yàn)室或小型生產(chǎn)環(huán)境中使用,便于安裝和操作。
2. **高沉積速率**:磁控濺射技術(shù)通過磁場增強(qiáng)離子化率,從而提高沉積速率,適合快速制備薄膜。
3. **沉積均勻性好**:由于磁場的應(yīng)用,能夠?qū)崿F(xiàn)較為均勻的薄膜沉積,提高膜層的質(zhì)量和一致性。
4. **適用材料廣泛**:能夠?yàn)R射多種金屬、合金及絕緣材料,適應(yīng)不同的應(yīng)用需求。
5. **可控性強(qiáng)**:可以控制沉積厚度、沉積速率和氣氛,便于實(shí)驗(yàn)和生產(chǎn)中的參數(shù)調(diào)整。
6. **能**:磁控濺射技術(shù)相對傳統(tǒng)濺射技術(shù)能量損耗較小,效率較高,有助于降低生產(chǎn)成本。
7. **多靶配置**:一些小型鍍膜機(jī)支持多靶配置,能夠同時沉積不同材料,適應(yīng)復(fù)雜的薄膜制備需求。
8. **易于維護(hù)**:小型設(shè)備一般結(jié)構(gòu)簡單,便于操作和維護(hù),適合實(shí)驗(yàn)室的日常使用。
9. **環(huán)境友好**:多數(shù)小型磁控濺射鍍膜機(jī)可以使用低氣壓條件下工作,減少揮發(fā)性有機(jī)物等污染。
這些特點(diǎn)使得小型磁控濺射鍍膜機(jī)在科研、電子、光學(xué)及功能性涂層等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

離子濺射儀是一種用于材料表面分析和處理的設(shè)備,主要功能包括:
1. **材料沉積**:可以用于在基材表面上沉積薄膜,常見于半導(dǎo)體、光電子器件和表面涂層的制造。
2. **表面分析**:通過濺射過程,可以分析材料的成分和結(jié)構(gòu),常用于質(zhì)譜分析和表面分析技術(shù),如時間飛行質(zhì)譜(TOF-MS)。
3. **清潔和去除涂層**:可以去除材料表面的污染物或舊涂層,為后續(xù)處理做好準(zhǔn)備。
4. **再結(jié)晶和表面改性**:可以通過離子轟擊改變材料的表面狀態(tài),如增加薄膜的粘附力、改善光學(xué)性能等。
5. **刻蝕**:在微電子工藝中,用于刻蝕特定區(qū)域,形成所需的圖案和結(jié)構(gòu)。
6. **離子 implantation**:將離子注入材料中,以改變其電學(xué)、光學(xué)或機(jī)械性質(zhì)。
離子濺射儀在材料科學(xué)、微電子、納米技術(shù)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

濺射靶是一種用于薄膜沉積技術(shù)的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于物理、材料科學(xué)和半導(dǎo)體工業(yè)。其主要功能包括:
1. **物質(zhì)沉積**:通過濺射技術(shù)將靶材(如金屬、合金或氧化物)中的原子或分子打出,并在基材表面形成薄膜。
2. **薄膜均勻性**:濺射靶能夠在較大的面積上實(shí)現(xiàn)均勻的薄膜沉積,這對許多應(yīng)用至關(guān)重要。
3. **控制膜厚度**:通過調(diào)整濺射時間、功率和氣氛等參數(shù),可以控制沉積膜的厚度。
4. **材料多樣性**:能夠處理多種不同類型的靶材,適用于不同的應(yīng)用需求。
5. **低溫沉積**:濺射過程通常在較低溫度下進(jìn)行,因此適合一些熱敏材料的沉積。
6. **量膜**:濺射技術(shù)可制作高致密性、低缺陷的薄膜,適合高性能電子元件和光電器件等。
7. **大面積沉積**:有些濺射靶可以實(shí)現(xiàn)大面積的一次性沉積,適合工業(yè)化生產(chǎn)。
8. **功能薄膜制備**:可以用于制備功能性薄膜,如透明導(dǎo)電氧化物(TCO)、磁性薄膜及其他材料。
濺射靶的技術(shù)進(jìn)步與材料科學(xué)的發(fā)展密切相關(guān),對推動新材料的研究和應(yīng)用起到了重要作用。
濺射靶(Sputter Gun)主要用于物相沉積(PVD)技術(shù)中的薄膜生長。其適用范圍包括但不限于以下幾個領(lǐng)域:
1. **半導(dǎo)體制造**:用于沉積金屬、氧化物等材料,以制作電子器件中的導(dǎo)電層和絕緣層。
2. **光學(xué)涂層**:在光學(xué)設(shè)備中應(yīng)用,如鏡頭、濾光片等,增加其反射、透射或抗反射性能。
3. **太陽能電池**:用于沉積薄膜材料,以提高光電轉(zhuǎn)換效率。
4. **硬涂層**:在工具、機(jī)械零部件上沉積硬質(zhì)涂層,提升耐磨性和耐腐蝕性。
5. **裝飾性涂層**:在產(chǎn)品表面沉積金屬或合成材料涂層,提升美觀和防護(hù)性能。
6. **磁記錄媒體**:用于制造磁盤和磁帶等數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。
7. **生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用**:在器械及生物材料上沉積涂層,改善其生物相容性和性能。
濺射靶因其能夠沉積均勻、致密的薄膜,以及適用多種材料,廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代材料科學(xué)與工程領(lǐng)域。
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