真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進口Pfeiffer分子泵
前級泵機械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺,300W射頻電源1臺
流量計20sccm/50sccm進口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機LX-300
前級閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設(shè)備機架機電一體化
預(yù)留接口CF35法蘭一個
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
磁控濺射(Magnetron Sputtering)是一種薄膜沉積技術(shù),廣泛應(yīng)用于半導體、光電子、光學涂層和傳感器等領(lǐng)域。該技術(shù)通過以下幾個步驟實現(xiàn)材料的沉積:
1. **靶材準備**:磁控濺射系統(tǒng)中通常使用金屬、合金或陶瓷作為靶材。
2. **氣體引入**:在真空腔內(nèi)引入惰性氣體(如氬氣),并將腔體抽真空,以降低氣體的分子數(shù)量,從而減小氣體分子碰撞的影響。
3. **放電與等離子體生成**:通過施加高電壓,將靶材和基材之間的氣體電離,形成等離子體。等離子體中的氣離子會被加速并撞擊靶材。
4. **濺射過程**:氣離子在靶材表面撞擊時,會導致靶材原子脫離表面,并以高能量飛向基材表面,從而在基材上形成薄膜。
5. **薄膜沉積**:脫離靶材的原子在基材上沉積,逐漸形成所需的薄膜結(jié)構(gòu)。
磁控濺射的主要優(yōu)點包括:能夠在較低的溫度下進行沉積,適用于多種材料(如金屬、陶瓷和復合材料),以及沉積速率快且膜質(zhì)量高。此外,磁控濺射系統(tǒng)通常配備有磁場,用于增強離子化效率,提高沉積速率和膜質(zhì)量。
這種技術(shù)在光學、電子、裝飾等領(lǐng)域擁有廣泛的應(yīng)用,如制造反射鏡、抗反射涂層、導電薄膜等。
樣品臺,通常用于實驗室、工業(yè)生產(chǎn)和研究等領(lǐng)域,具有以下幾個特點:
1. **穩(wěn)定性**:樣品臺通常設(shè)計得穩(wěn)定,以確保在進行實驗或觀察時,樣品受到外部震動或干擾的影響。
2. **調(diào)整功能**:許多樣品臺具有高度可調(diào)節(jié)性,允許用戶根據(jù)需要調(diào)整樣品的位置和角度,以便于觀察和測量。
3. **易清潔性**:樣品臺通常采用易于清洗的材料,能夠防止樣品的污染,同時在使用過程中保持衛(wèi)生。
4. **多功能性**:某些樣品臺配備了不同的附件和配件,支持實驗需求,例如光學顯微鏡、測量儀器等。
5. **適應(yīng)性強**:樣品臺的設(shè)計往往可以根據(jù)不同類型的樣品(如液體、固體、粉末等)進行調(diào)整,以適應(yīng)不同的實驗需求。
6. **材料選用**:樣品臺通常采用耐腐蝕、耐高溫或其他特殊材料,以適應(yīng)不同實驗環(huán)境。
7. **標記系統(tǒng)**:許多樣品臺上會有標記或者刻度,使用戶能夠定位樣品位置。
8. **光學性能**:在光學實驗中,樣品臺可能會考慮透光性和反射性,以確保觀測效果的清晰度。
這些特點使得樣品臺在不同領(lǐng)域的應(yīng)用中顯得尤為重要,能夠提高實驗的性和效率。

桌面型磁控濺射鍍膜儀是一種用于薄膜沉積的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于半導體、光電、光學及材料科學等領(lǐng)域。以下是桌面型磁控濺射鍍膜儀的一些主要特點:
1. **緊湊設(shè)計**:桌面型設(shè)計占用空間小,適合實驗室環(huán)境,有利于提高實驗室的使用效率。
2. **高均勻性**:通過磁場增強濺射過程,提高薄膜的均勻性和致密性,能夠在較大面積上達到一致的膜厚。
3. **可控性**:支持控制沉積參數(shù),如氣壓、濺射功率和沉積時間,便于實現(xiàn)不同材料和膜厚的調(diào)節(jié)。
4. **多種靶材選擇**:支持多種材料的靶材,能夠?qū)崿F(xiàn)金屬、氧化物、氮化物等不同類型薄膜的沉積。
5. **低溫沉積**:相較于其他鍍膜技術(shù),磁控濺射通??稍谳^低溫度下進行,有助于保護基材和改善膜的性能。
6. **清潔環(huán)境**:通常配備有真空系統(tǒng),能夠在相對潔凈的環(huán)境下進行沉積,減少污染。
7. **自動化程度高**:一些型號支持自動化控制和監(jiān)測,便于實驗操作和數(shù)據(jù)記錄,提高了實驗效率和重復性。
8. **易于維護**:桌面型設(shè)備結(jié)構(gòu)相對簡單,便于日常維護和保養(yǎng),降低了運行成本。
這些特點使得桌面型磁控濺射鍍膜儀在科研和工業(yè)應(yīng)用中越來越受到歡迎。

PVD(物相沉積)鍍膜機是一種用于在基材表面沉積薄膜的設(shè)備。其主要功能包括:
1. **薄膜沉積**:通過物相沉積方法,PVD鍍膜機可以在基材表面沉積金屬、合金、氧化物、氮化物等薄膜材料,用于改善表面性能。
2. **表面改性**:通過鍍膜,可以提高基材的耐磨性、耐腐蝕性、抗氧化性等,延長材料的使用壽命。
3. **功能涂層**:PVD鍍膜可以賦予材料特定的功能,例如光學性能(反射、透射)、導電性能、熱導性等,適用于電子、光學等行業(yè)。
4. **裝飾效果**:在一些應(yīng)用中,PVD鍍膜機可用于實現(xiàn)裝飾性涂層,提高產(chǎn)品的美觀性和附加值。
5. **薄膜**:PVD技術(shù)能夠在較低的溫度下沉積量的薄膜,適合用于一些熱敏材料的表面處理。
6. **環(huán)境友好**:相比于化學鍍膜方法,PVD過程通常不需要使用有毒化學物質(zhì),減小了對環(huán)境的影響。
7. **可控性強**:PVD鍍膜機可以控制膜厚、沉積速率等參數(shù),實現(xiàn)高重復性和一致性的薄膜性能。
總之,PVD鍍膜機在現(xiàn)代制造業(yè)中發(fā)揮著重要作用,廣泛應(yīng)用于電子、光學、汽車、等多個領(lǐng)域。

離子濺射儀是一種廣泛應(yīng)用于材料科學、半導體制造和表面分析等領(lǐng)域的設(shè)備,其主要特點包括:
1. **高精度**:離子濺射儀能夠在原子或分子層級上進行物質(zhì)的去除和沉積,具有的控制精度,適用于微米和納米級別的加工。
2. **多功能性**:該儀器可用于薄膜的沉積、表面清洗、材料分析等多種用途,適應(yīng)性強。
3. **層次控制**:可以實現(xiàn)對材料沉積厚度的控制,可以逐層沉積不同材料,適合制備多層膜結(jié)構(gòu)。
4. **較強的適應(yīng)性**:離子源與靶材的組合可以根據(jù)需要進行調(diào)整,使得該儀器可以處理多種不同類型的材料。
5. **真空環(huán)境**:離子濺射在真空環(huán)境中進行,有助于減少氣體分子對沉積過程的干擾,提高沉積質(zhì)量。
6. **可調(diào)節(jié)能量**:離子源可以調(diào)節(jié)離子的能量,從而控制濺射過程中的粒子能量,有利于改善沉積膜的性質(zhì)。
7. **低溫沉積**:相較于傳統(tǒng)的熱沉積方法,離子濺射在較低溫度下即可進行,能夠減少熱敏感材料的損傷。
8. **表面改性**:通過選擇合適的離子種類和能量,可以對材料表面進行改性,如提高表面硬度或改變表面化學性質(zhì)。
總的來說,離子濺射儀因其高精度、多功能和良好的適應(yīng)性,在現(xiàn)代材料科學和工程中發(fā)揮著重要作用。
離子濺射儀是一種廣泛應(yīng)用于材料科學和表面分析的儀器,其適用范圍主要包括以下幾個方面:
1. **薄膜制備**:用于沉積金屬、氧化物及其他材料的薄膜,廣泛應(yīng)用于電子器件、光電材料等領(lǐng)域。
2. **表面分析**:能夠分析材料表面的元素組成和化學狀態(tài),適用于材料科學、物理、化學等研究領(lǐng)域。
3. **樣品清洗**:可以去除樣品表面的污染物和氧化層,提高后續(xù)分析的準確性。
4. **材料特性研究**:通過改變離子能量和濺射深度,研究材料的結(jié)構(gòu)、成分及性質(zhì)。
5. **半導體工業(yè)**:在半導體制造過程中,離子濺射用于清洗、蝕刻等步驟,確保良好的表面狀態(tài)。
6. **光學領(lǐng)域**:在光學器件的制備中,離子濺射用于涂覆光學薄膜,以滿足特定的光學性能。
7. **生物材料**:在生物材料的研究中,離子濺射可以用于表面改性,以改善生物相容性和性能。
總之,離子濺射儀是一種多功能的設(shè)備,適用于研究與工業(yè)應(yīng)用中。
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