真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進口Pfeiffer分子泵
前級泵機械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺,300W射頻電源1臺
流量計20sccm/50sccm進口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機LX-300
前級閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設(shè)備機架機電一體化
預(yù)留接口CF35法蘭一個
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
磁控濺射(Magnetron Sputtering)是一種薄膜沉積技術(shù),廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電子、光學涂層和傳感器等領(lǐng)域。該技術(shù)通過以下幾個步驟實現(xiàn)材料的沉積:
1. **靶材準備**:磁控濺射系統(tǒng)中通常使用金屬、合金或陶瓷作為靶材。
2. **氣體引入**:在真空腔內(nèi)引入惰性氣體(如氬氣),并將腔體抽真空,以降低氣體的分子數(shù)量,從而減小氣體分子碰撞的影響。
3. **放電與等離子體生成**:通過施加高電壓,將靶材和基材之間的氣體電離,形成等離子體。等離子體中的氣離子會被加速并撞擊靶材。
4. **濺射過程**:氣離子在靶材表面撞擊時,會導(dǎo)致靶材原子脫離表面,并以高能量飛向基材表面,從而在基材上形成薄膜。
5. **薄膜沉積**:脫離靶材的原子在基材上沉積,逐漸形成所需的薄膜結(jié)構(gòu)。
磁控濺射的主要優(yōu)點包括:能夠在較低的溫度下進行沉積,適用于多種材料(如金屬、陶瓷和復(fù)合材料),以及沉積速率快且膜質(zhì)量高。此外,磁控濺射系統(tǒng)通常配備有磁場,用于增強離子化效率,提高沉積速率和膜質(zhì)量。
這種技術(shù)在光學、電子、裝飾等領(lǐng)域擁有廣泛的應(yīng)用,如制造反射鏡、抗反射涂層、導(dǎo)電薄膜等。
磁控濺射是一種常用的薄膜沉積技術(shù),具有以下幾個特點:
1. **高沉積速率**:由于使用了磁場增強了等離子體的密度,從而提高了濺射粒子的產(chǎn)生率,能夠?qū)崿F(xiàn)較高的沉積速率。
2. **均勻性**:磁控濺射能夠在較大面積上實現(xiàn)均勻的薄膜沉積,適用于大面積涂層和均勻薄膜的要求。
3. **良好的附著力**:由于濺射過程中粒子能量較高,薄膜與基底之間的附著力較好,減少了薄膜剝離的風險。
4. **低溫沉積**:相比于其他沉積技術(shù),磁控濺射可以在相對較低的溫度下進行,適合于對溫度敏感的材料。
5. **多材料沉積**:能夠?qū)崿F(xiàn)多種材料的復(fù)合沉積,包括金屬、絕緣體和半導(dǎo)體等,實現(xiàn)材料的多樣性。
6. **可控性強**:沉積過程中的參數(shù)(如氣體壓力、功率、基板溫度等)對薄膜的性質(zhì)有較大影響,因此可以通過控制這些參數(shù)來調(diào)節(jié)薄膜的厚度和質(zhì)量。
7. **環(huán)保性**:相較于某些化學氣相沉積(CVD)技術(shù),磁控濺射通常不涉及毒性氣體,環(huán)境友好。
這些特點使得磁控濺射在電子、光電、硬涂層等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。

濺射靶是一種廣泛應(yīng)用于物理、材料科學和納米技術(shù)等領(lǐng)域的設(shè)備,主要用于薄膜的沉積。其特點包括:
1. **高精度沉積**:濺射靶能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的薄膜沉積,控制膜層的厚度和組成。
2. **多種材料適用性**:能夠使用金屬、合金、陶瓷等多種靶材進行沉積,適用范圍廣泛。
3. **較低的沉積溫度**:與其他沉積技術(shù)(如化學氣相沉積)相比,濺射沉積可以在較低的溫度下進行,有助于保護基材。
4. **良好的膜質(zhì)量**:沉積的薄膜通常具備良好的均勻性和致密性,適合用于電子、光學等高性能應(yīng)用。
5. **靈活的氣氛控制**:可以在真空或氣氛環(huán)境中操作,靈活性強,適應(yīng)不同的實驗需求。
6. **搬運便捷**:許多濺射靶設(shè)計緊湊,便于實驗室使用和搬運。
7. **擴展應(yīng)用**:不僅可以用于厚膜沉積,還可以用于微納結(jié)構(gòu)的制作,常用于半導(dǎo)體制造、光電器件等領(lǐng)域。
8. **易于實現(xiàn)多層膜結(jié)構(gòu)**:通過控制濺射時間和靶材,可以輕松實現(xiàn)多層膜的構(gòu)建,滿足復(fù)雜的功能需求。
濺射靶的這些特點使其成為現(xiàn)代材料科學和納米技術(shù)研究中的重要工具。

桌面型磁控濺射鍍膜儀是一種用于薄膜沉積的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電、光學及材料科學等領(lǐng)域。以下是桌面型磁控濺射鍍膜儀的一些主要特點:
1. **緊湊設(shè)計**:桌面型設(shè)計占用空間小,適合實驗室環(huán)境,有利于提高實驗室的使用效率。
2. **高均勻性**:通過磁場增強濺射過程,提高薄膜的均勻性和致密性,能夠在較大面積上達到一致的膜厚。
3. **可控性**:支持控制沉積參數(shù),如氣壓、濺射功率和沉積時間,便于實現(xiàn)不同材料和膜厚的調(diào)節(jié)。
4. **多種靶材選擇**:支持多種材料的靶材,能夠?qū)崿F(xiàn)金屬、氧化物、氮化物等不同類型薄膜的沉積。
5. **低溫沉積**:相較于其他鍍膜技術(shù),磁控濺射通??稍谳^低溫度下進行,有助于保護基材和改善膜的性能。
6. **清潔環(huán)境**:通常配備有真空系統(tǒng),能夠在相對潔凈的環(huán)境下進行沉積,減少污染。
7. **自動化程度高**:一些型號支持自動化控制和監(jiān)測,便于實驗操作和數(shù)據(jù)記錄,提高了實驗效率和重復(fù)性。
8. **易于維護**:桌面型設(shè)備結(jié)構(gòu)相對簡單,便于日常維護和保養(yǎng),降低了運行成本。
這些特點使得桌面型磁控濺射鍍膜儀在科研和工業(yè)應(yīng)用中越來越受到歡迎。

靶材通常是在物理、化學和材料科學等領(lǐng)域中使用的一種材料,主要具有以下功能:
1. **靶向作用**:在粒子物理實驗中,靶材可用于吸收入射粒子并產(chǎn)生可觀測的反應(yīng),如在粒子加速器中用作靶。
2. **材料沉積**:在薄膜沉積技術(shù)中,靶材用于將材料蒸發(fā)或濺射到基底上,形成薄膜。這在電子器件、光學涂層等應(yīng)用中重要。
3. **反應(yīng)介質(zhì)**:在化學反應(yīng)中,靶材可以作為反應(yīng)物,產(chǎn)生相應(yīng)的化學反應(yīng)或物理變化。
4. **能量傳輸**:靶材能夠接收入射粒子的能量并將其轉(zhuǎn)化為其他形式的能量,或以其他方式傳遞能量。
5. **示蹤和檢測**:在放射性同位素研究中,靶材可以用作示蹤劑,幫助檢測和分析現(xiàn)象。
總之,靶材在科學研究和工業(yè)應(yīng)用中扮演著重要的角色,其具體功能根據(jù)應(yīng)用場景的不同而有所差異。
靶材的適用范圍主要取決于其材料特性和應(yīng)用領(lǐng)域。以下是一些常見的靶材及其適用范圍:
1. **金屬靶材**:常用于沉積和涂層技術(shù),如磁控濺射、物相沉積(PVD)等??梢杂糜谥圃彀雽?dǎo)體、光電器件及表面處理等。
2. **陶瓷靶材**:通常用于高溫應(yīng)用和特殊電子器件的制造,具有良好的耐腐蝕性和耐高溫性能。
3. **復(fù)合材料靶材**:用于需要輕量化和高強度的應(yīng)用,如、汽車工業(yè)等。
4. **聚合物靶材**:適用于某些特殊的涂層和薄膜技術(shù),常用于電子產(chǎn)品和光學設(shè)備中。
5. **稀土金屬靶材**:應(yīng)用于特殊磁性材料和激光器的制造。
6. **生物靶材**:在生物醫(yī)學領(lǐng)域中使用,用于制造生物相容性材料和藥物載體。
靶材的選擇不僅影響終產(chǎn)品的性能,還會對生產(chǎn)工藝和成本產(chǎn)生影響。因此,在選擇靶材時,需根據(jù)具體的應(yīng)用需求進行綜合考慮。
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