真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進口Pfeiffer分子泵
前級泵機械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺,300W射頻電源1臺
流量計20sccm/50sccm進口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機LX-300
前級閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設(shè)備機架機電一體化
預留接口CF35法蘭一個
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
樣品臺通常指用于放置或展示樣品的設(shè)備或平臺。在科學實驗、制造業(yè)、展覽等場合中,樣品臺有助于研究人員或客戶觀察和分析樣品的特性。樣品臺可以具有不同的功能,如可調(diào)高度、旋轉(zhuǎn)、照明等,具體取決于其用途和設(shè)計要求。
如果您需要更具體的信息或?qū)悠放_的某一方面有特別的關(guān)注,請告訴我!
磁控濺射鍍膜機是一種常用的薄膜制備設(shè)備,廣泛應用于半導體、光電器件、光學涂層等領(lǐng)域。其主要特點包括:
1. **高沉積速率**:磁控濺射技術(shù)能夠在較短時間內(nèi)實現(xiàn)較高的薄膜沉積速率,適用于大規(guī)模生產(chǎn)。
2. **優(yōu)良的膜層均勻性**:由于采用磁場增強了離子的密度,膜層的厚度均勻性和思想性得到了顯著提升。
3. **良好的膜質(zhì)**:磁控濺射沉積的膜層通常具有較高的致密性和優(yōu)良的物理性質(zhì),如低內(nèi)應力和高附著力。
4. **適用性廣**:可以對多種材料進行沉積,包括金屬、絕緣體和半導體等,適用范圍廣泛。
5. **可控性強**:通過調(diào)節(jié)氣體壓力、功率、目標材料和沉積時間等參數(shù),可以控制膜層的厚度和組成。
6. **環(huán)境友好**:相比于其他鍍膜技術(shù),磁控濺射常用的氣體(如氬氣)對環(huán)境危害較小,過程相對環(huán)保。
7. **良好的應變控制**:磁控濺射可以在較低的溫度下進行,這對于熱敏感材料尤為重要,可以有效控制膜層的應變和缺陷。
8. **多功能性**:可通過不同的配置實現(xiàn)多種功能,如多層膜的沉積或不同材料的復合沉積。
這些特點使得磁控濺射鍍膜機成為現(xiàn)代薄膜技術(shù)中重要的工具。

桌面型磁控濺射鍍膜儀是一種廣泛應用于材料科學、電子學、光學等領(lǐng)域的設(shè)備,其主要功能包括:
1. **薄膜沉積**:可在基材上沉積薄膜,形成不同厚度和成分的薄膜材料。
2. **材料多樣性**:支持多種靶材(如金屬、合金、氧化物等),能夠制作出不同種類的薄膜。
3. **優(yōu)良的膜質(zhì)量**:采用磁控濺射技術(shù),可以有效提高薄膜的均勻性和致密性,提高膜的性能。
4. **可調(diào)節(jié)參數(shù)**:可以調(diào)節(jié)濺射功率、氣體流量、基片溫度等參數(shù),以滿足不同工藝要求。
5. **大面積鍍膜**:由于其設(shè)計,可以適用于大面積基片的鍍膜需求,在科研和工業(yè)生產(chǎn)中具有較高的應用價值。
6. **過程控制**:配備監(jiān)測系統(tǒng),可以實時監(jiān)測膜厚度、氣氛等,有助于控制沉積過程。
7. **易于操作**:桌面型的設(shè)計使得設(shè)備更加緊湊,操作相對簡單,適合實驗室環(huán)境使用。
8. **真空技術(shù)**:工作過程中保持真空環(huán)境,減少污染,提高沉積質(zhì)量。
這種設(shè)備在半導體器件制造、光學涂層、傳感器、太陽能電池等多個領(lǐng)域具有重要應用價值。

離子濺射儀是一種廣泛應用于材料科學、半導體制造和表面分析等領(lǐng)域的設(shè)備,其主要特點包括:
1. **高精度**:離子濺射儀能夠在原子或分子層級上進行物質(zhì)的去除和沉積,具有的控制精度,適用于微米和納米級別的加工。
2. **多功能性**:該儀器可用于薄膜的沉積、表面清洗、材料分析等多種用途,適應性強。
3. **層次控制**:可以實現(xiàn)對材料沉積厚度的控制,可以逐層沉積不同材料,適合制備多層膜結(jié)構(gòu)。
4. **較強的適應性**:離子源與靶材的組合可以根據(jù)需要進行調(diào)整,使得該儀器可以處理多種不同類型的材料。
5. **真空環(huán)境**:離子濺射在真空環(huán)境中進行,有助于減少氣體分子對沉積過程的干擾,提高沉積質(zhì)量。
6. **可調(diào)節(jié)能量**:離子源可以調(diào)節(jié)離子的能量,從而控制濺射過程中的粒子能量,有利于改善沉積膜的性質(zhì)。
7. **低溫沉積**:相較于傳統(tǒng)的熱沉積方法,離子濺射在較低溫度下即可進行,能夠減少熱敏感材料的損傷。
8. **表面改性**:通過選擇合適的離子種類和能量,可以對材料表面進行改性,如提高表面硬度或改變表面化學性質(zhì)。
總的來說,離子濺射儀因其高精度、多功能和良好的適應性,在現(xiàn)代材料科學和工程中發(fā)揮著重要作用。

磁控濺射是一種常用的薄膜沉積技術(shù),具有以下幾個特點:
1. **高沉積速率**:由于使用了磁場增強了等離子體的密度,從而提高了濺射粒子的產(chǎn)生率,能夠?qū)崿F(xiàn)較高的沉積速率。
2. **均勻性**:磁控濺射能夠在較大面積上實現(xiàn)均勻的薄膜沉積,適用于大面積涂層和均勻薄膜的要求。
3. **良好的附著力**:由于濺射過程中粒子能量較高,薄膜與基底之間的附著力較好,減少了薄膜剝離的風險。
4. **低溫沉積**:相比于其他沉積技術(shù),磁控濺射可以在相對較低的溫度下進行,適合于對溫度敏感的材料。
5. **多材料沉積**:能夠?qū)崿F(xiàn)多種材料的復合沉積,包括金屬、絕緣體和半導體等,實現(xiàn)材料的多樣性。
6. **可控性強**:沉積過程中的參數(shù)(如氣體壓力、功率、基板溫度等)對薄膜的性質(zhì)有較大影響,因此可以通過控制這些參數(shù)來調(diào)節(jié)薄膜的厚度和質(zhì)量。
7. **環(huán)保性**:相較于某些化學氣相沉積(CVD)技術(shù),磁控濺射通常不涉及毒性氣體,環(huán)境友好。
這些特點使得磁控濺射在電子、光電、硬涂層等領(lǐng)域得到了廣泛應用。
PVD(物相沉積)鍍膜機廣泛應用于多個領(lǐng)域,其適用范圍包括但不限于:
1. **電子行業(yè)**:用于制造半導體器件、電容器、導電膜、光學器件等。
2. **太陽能行業(yè)**:用于光伏電池的抗反射膜和導電膜的沉積。
3. **光學元件**:用于制造鏡頭、濾光片、光學涂層等,提高光學性能和耐磨性。
4. **工具和模具**:用于在工具和模具表面鍍膜,以提高耐磨性、耐腐蝕性和降低摩擦。
5. **裝飾和飾品**:用于金屬和非金屬表面的裝飾性鍍膜,如汽車配件、家居用品等。
6. **器械**:用于器械表面鍍膜,以提高生物相容性和性能。
7. **和**:在材料上鍍膜,以提高其性能和耐久性。
PVD技術(shù)因其可以沉積多種材料且能夠控制膜的厚度、組成和質(zhì)量,受到廣泛青睞。
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