真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進(jìn)口Pfeiffer分子泵
前級(jí)泵機(jī)械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺(tái),300W射頻電源1臺(tái)
流量計(jì)20sccm/50sccm進(jìn)口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機(jī)LX-300
前級(jí)閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺(tái)Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進(jìn)口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設(shè)備機(jī)架機(jī)電一體化
預(yù)留接口CF35法蘭一個(gè)
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
靶材通常指用于某種實(shí)驗(yàn)或應(yīng)用中,作為靶子或目標(biāo)的材料。在不同的領(lǐng)域,靶材的具體含義和用途可能略有不同:
1. **物理和粒子物理學(xué)**:靶材可以是用于粒子碰撞實(shí)驗(yàn)中的物質(zhì),粒子通過(guò)撞擊靶材產(chǎn)生反應(yīng),以研究基本粒子及其相互作用。
2. **光譜學(xué)**:在光源或激光實(shí)驗(yàn)中,靶材可能用于激發(fā)或產(chǎn)生特定的光譜信號(hào)。
3. **材料科學(xué)**:靶材還可以用于薄膜沉積技術(shù)(如磁控濺射),在該過(guò)程中靶材被靶向發(fā)射以形成薄膜。
4. **激光加工**:靶材亦可用于激光打標(biāo)、切割等加工方法,通過(guò)激光光束對(duì)靶材進(jìn)行作用。
您是否有興趣了解某一特定領(lǐng)域的靶材?
磁控濺射鍍膜機(jī)是一種用于薄膜沉積的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于電子、光學(xué)、太陽(yáng)能、LED等領(lǐng)域。其主要功能包括:
1. **薄膜沉積**:通過(guò)濺射技術(shù),將靶材表面的原子或分子激發(fā)并沉積在基材表面,從而形成薄膜??梢猿练e金屬、絕緣體和半導(dǎo)體等多種材料。
2. **膜層均勻性調(diào)控**:通過(guò)調(diào)整濺射參數(shù)(如氣體流量、功率、沉積時(shí)間等),可以控制薄膜的厚度和均勻性,滿(mǎn)足不同應(yīng)用的要求。
3. **材料性質(zhì)優(yōu)化**:可以通過(guò)改變靶材的種類(lèi)、沉積環(huán)境等方式,調(diào)節(jié)薄膜的物理和化學(xué)性質(zhì),如電導(dǎo)率、光學(xué)透過(guò)率等。
4. **多層膜沉積**:可以實(shí)現(xiàn)多層膜的交替沉積,滿(mǎn)足復(fù)雜器件的需求,比如光學(xué)濾光片、傳感器等。
5. **真空環(huán)境**:在真空條件下進(jìn)行沉積,可以減少膜層缺陷,提高膜層的質(zhì)量及其性能。
6. **可控厚度及成分**:通過(guò)控制濺射時(shí)間和功率,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)膜層厚度及化學(xué)成分的準(zhǔn)確調(diào)控,適用于應(yīng)用需求。
7. **適應(yīng)性強(qiáng)**:可以使用多種靶材和基材,廣泛應(yīng)用于不同領(lǐng)域,包括電子器件、光電材料、裝飾性涂層等。
磁控濺射鍍膜機(jī)因其優(yōu)越的沉積過(guò)程和膜層質(zhì)量,在現(xiàn)代材料科學(xué)和工程中占有重要地位。

離子濺射儀是一種用于材料表面分析和處理的設(shè)備,主要功能包括:
1. **材料沉積**:可以用于在基材表面上沉積薄膜,常見(jiàn)于半導(dǎo)體、光電子器件和表面涂層的制造。
2. **表面分析**:通過(guò)濺射過(guò)程,可以分析材料的成分和結(jié)構(gòu),常用于質(zhì)譜分析和表面分析技術(shù),如時(shí)間飛行質(zhì)譜(TOF-MS)。
3. **清潔和去除涂層**:可以去除材料表面的污染物或舊涂層,為后續(xù)處理做好準(zhǔn)備。
4. **再結(jié)晶和表面改性**:可以通過(guò)離子轟擊改變材料的表面狀態(tài),如增加薄膜的粘附力、改善光學(xué)性能等。
5. **刻蝕**:在微電子工藝中,用于刻蝕特定區(qū)域,形成所需的圖案和結(jié)構(gòu)。
6. **離子 implantation**:將離子注入材料中,以改變其電學(xué)、光學(xué)或機(jī)械性質(zhì)。
離子濺射儀在材料科學(xué)、微電子、納米技術(shù)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

磁控濺射是一種常用的薄膜沉積技術(shù),具有以下幾個(gè)特點(diǎn):
1. **高沉積速率**:由于使用了磁場(chǎng)增強(qiáng)了等離子體的密度,從而提高了濺射粒子的產(chǎn)生率,能夠?qū)崿F(xiàn)較高的沉積速率。
2. **均勻性**:磁控濺射能夠在較大面積上實(shí)現(xiàn)均勻的薄膜沉積,適用于大面積涂層和均勻薄膜的要求。
3. **良好的附著力**:由于濺射過(guò)程中粒子能量較高,薄膜與基底之間的附著力較好,減少了薄膜剝離的風(fēng)險(xiǎn)。
4. **低溫沉積**:相比于其他沉積技術(shù),磁控濺射可以在相對(duì)較低的溫度下進(jìn)行,適合于對(duì)溫度敏感的材料。
5. **多材料沉積**:能夠?qū)崿F(xiàn)多種材料的復(fù)合沉積,包括金屬、絕緣體和半導(dǎo)體等,實(shí)現(xiàn)材料的多樣性。
6. **可控性強(qiáng)**:沉積過(guò)程中的參數(shù)(如氣體壓力、功率、基板溫度等)對(duì)薄膜的性質(zhì)有較大影響,因此可以通過(guò)控制這些參數(shù)來(lái)調(diào)節(jié)薄膜的厚度和質(zhì)量。
7. **環(huán)保性**:相較于某些化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù),磁控濺射通常不涉及毒性氣體,環(huán)境友好。
這些特點(diǎn)使得磁控濺射在電子、光電、硬涂層等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。

磁控濺射是一種廣泛應(yīng)用于薄膜沉積的技術(shù),主要用于在基材上沉積金屬、絕緣體或半導(dǎo)體材料。其功能和優(yōu)勢(shì)包括:
1. **量薄膜**:磁控濺射能夠沉積出均勻、致密且質(zhì)量?jī)?yōu)良的薄膜,適用于材料,包括金屬、合金和氧化物等。
2. **可控性強(qiáng)**:通過(guò)調(diào)節(jié)濺射參數(shù)(如氣壓、電源功率、磁場(chǎng)強(qiáng)度等),可以控制薄膜的厚度和性質(zhì)。
3. **低溫沉積**:與其他沉積技術(shù)相比,磁控濺射通??梢栽谳^低溫度下進(jìn)行,這對(duì)于熱敏感材料尤為重要。
4. **多種材料的沉積**:可以在不同類(lèi)型的基材上沉積材料,適用范圍很廣。
5. **高沉積速率**:由于利用了磁場(chǎng)增強(qiáng)離子化過(guò)程,磁控濺射的沉積速率通常較高,能夠提高生產(chǎn)效率。
6. **良好的附著力**:沉積的薄膜與基材之間具有良好的附著力,適合用于多種應(yīng)用。
7. **均勻性和厚度控制**:可以實(shí)現(xiàn)大面積的均勻沉積,適用于需要大尺寸薄膜的應(yīng)用。
磁控濺射廣泛應(yīng)用于光電器件、太陽(yáng)能電池、薄膜電路、保護(hù)涂層等領(lǐng)域。
濺射靶(Sputter Gun)主要用于物相沉積(PVD)技術(shù)中的薄膜生長(zhǎng)。其適用范圍包括但不限于以下幾個(gè)領(lǐng)域:
1. **半導(dǎo)體制造**:用于沉積金屬、氧化物等材料,以制作電子器件中的導(dǎo)電層和絕緣層。
2. **光學(xué)涂層**:在光學(xué)設(shè)備中應(yīng)用,如鏡頭、濾光片等,增加其反射、透射或抗反射性能。
3. **太陽(yáng)能電池**:用于沉積薄膜材料,以提高光電轉(zhuǎn)換效率。
4. **硬涂層**:在工具、機(jī)械零部件上沉積硬質(zhì)涂層,提升耐磨性和耐腐蝕性。
5. **裝飾性涂層**:在產(chǎn)品表面沉積金屬或合成材料涂層,提升美觀(guān)和防護(hù)性能。
6. **磁記錄媒體**:用于制造磁盤(pán)和磁帶等數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。
7. **生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用**:在器械及生物材料上沉積涂層,改善其生物相容性和性能。
濺射靶因其能夠沉積均勻、致密的薄膜,以及適用多種材料,廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代材料科學(xué)與工程領(lǐng)域。
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