真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進(jìn)口Pfeiffer分子泵
前級(jí)泵機(jī)械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺(tái),300W射頻電源1臺(tái)
流量計(jì)20sccm/50sccm進(jìn)口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機(jī)LX-300
前級(jí)閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺(tái)Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進(jìn)口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設(shè)備機(jī)架機(jī)電一體化
預(yù)留接口CF35法蘭一個(gè)
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
磁控濺射(Magnetron Sputtering)是一種常用的物相沉積(PVD)技術(shù),廣泛應(yīng)用于薄膜材料的制備。它主要利用高能離子轟擊靶材,使靶材原子或分子脫離并沉積到基材表面,形成薄膜。
磁控濺射的基本原理如下:
1. **離子源**:在氣體氬氣中產(chǎn)生等離子體,通常在真空條件下進(jìn)行。通過(guò)施加電壓,氬氣原子被電離,形成帶正電的氬離子。
2. **靶材轟擊**:生成的氬離子被加速,轟擊靶材表面,使靶材上的原子以濺射的方式逸出。
3. **磁場(chǎng)的作用**:在靶材附近施加磁場(chǎng),產(chǎn)生閉合的磁力線,這樣可以有效地延長(zhǎng)離子的停留時(shí)間,增強(qiáng)了等離子體的密度,提高了濺射效率。
4. **薄膜沉積**:被濺射出來(lái)的靶材原子在真空中遷移,終沉積在基材表面,形成所需的薄膜。
磁控濺射技術(shù)具有許多優(yōu)點(diǎn),比如沉積速率高、膜層均勻性好、粘附性強(qiáng)等。此外,它還能夠沉積多種材料,包括金屬、合金、絕緣體和半導(dǎo)體等,因此在光電子、微電子、光學(xué)涂層等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
桌面型磁控濺射鍍膜儀是一種廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、電子學(xué)、光學(xué)等領(lǐng)域的設(shè)備,其主要功能包括:
1. **薄膜沉積**:可在基材上沉積薄膜,形成不同厚度和成分的薄膜材料。
2. **材料多樣性**:支持多種靶材(如金屬、合金、氧化物等),能夠制作出不同種類的薄膜。
3. **優(yōu)良的膜質(zhì)量**:采用磁控濺射技術(shù),可以有效提高薄膜的均勻性和致密性,提高膜的性能。
4. **可調(diào)節(jié)參數(shù)**:可以調(diào)節(jié)濺射功率、氣體流量、基片溫度等參數(shù),以滿足不同工藝要求。
5. **大面積鍍膜**:由于其設(shè)計(jì),可以適用于大面積基片的鍍膜需求,在科研和工業(yè)生產(chǎn)中具有較高的應(yīng)用價(jià)值。
6. **過(guò)程控制**:配備監(jiān)測(cè)系統(tǒng),可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)膜厚度、氣氛等,有助于控制沉積過(guò)程。
7. **易于操作**:桌面型的設(shè)計(jì)使得設(shè)備更加緊湊,操作相對(duì)簡(jiǎn)單,適合實(shí)驗(yàn)室環(huán)境使用。
8. **真空技術(shù)**:工作過(guò)程中保持真空環(huán)境,減少污染,提高沉積質(zhì)量。
這種設(shè)備在半導(dǎo)體器件制造、光學(xué)涂層、傳感器、太陽(yáng)能電池等多個(gè)領(lǐng)域具有重要應(yīng)用價(jià)值。

磁控濺射鍍膜機(jī)是一種用于薄膜沉積的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于電子、光學(xué)、太陽(yáng)能、LED等領(lǐng)域。其主要功能包括:
1. **薄膜沉積**:通過(guò)濺射技術(shù),將靶材表面的原子或分子激發(fā)并沉積在基材表面,從而形成薄膜??梢猿练e金屬、絕緣體和半導(dǎo)體等多種材料。
2. **膜層均勻性調(diào)控**:通過(guò)調(diào)整濺射參數(shù)(如氣體流量、功率、沉積時(shí)間等),可以控制薄膜的厚度和均勻性,滿足不同應(yīng)用的要求。
3. **材料性質(zhì)優(yōu)化**:可以通過(guò)改變靶材的種類、沉積環(huán)境等方式,調(diào)節(jié)薄膜的物理和化學(xué)性質(zhì),如電導(dǎo)率、光學(xué)透過(guò)率等。
4. **多層膜沉積**:可以實(shí)現(xiàn)多層膜的交替沉積,滿足復(fù)雜器件的需求,比如光學(xué)濾光片、傳感器等。
5. **真空環(huán)境**:在真空條件下進(jìn)行沉積,可以減少膜層缺陷,提高膜層的質(zhì)量及其性能。
6. **可控厚度及成分**:通過(guò)控制濺射時(shí)間和功率,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)膜層厚度及化學(xué)成分的準(zhǔn)確調(diào)控,適用于應(yīng)用需求。
7. **適應(yīng)性強(qiáng)**:可以使用多種靶材和基材,廣泛應(yīng)用于不同領(lǐng)域,包括電子器件、光電材料、裝飾性涂層等。
磁控濺射鍍膜機(jī)因其優(yōu)越的沉積過(guò)程和膜層質(zhì)量,在現(xiàn)代材料科學(xué)和工程中占有重要地位。

離子濺射儀是一種用于材料表面分析和處理的設(shè)備,主要功能包括:
1. **材料沉積**:可以用于在基材表面上沉積薄膜,常見(jiàn)于半導(dǎo)體、光電子器件和表面涂層的制造。
2. **表面分析**:通過(guò)濺射過(guò)程,可以分析材料的成分和結(jié)構(gòu),常用于質(zhì)譜分析和表面分析技術(shù),如時(shí)間飛行質(zhì)譜(TOF-MS)。
3. **清潔和去除涂層**:可以去除材料表面的污染物或舊涂層,為后續(xù)處理做好準(zhǔn)備。
4. **再結(jié)晶和表面改性**:可以通過(guò)離子轟擊改變材料的表面狀態(tài),如增加薄膜的粘附力、改善光學(xué)性能等。
5. **刻蝕**:在微電子工藝中,用于刻蝕特定區(qū)域,形成所需的圖案和結(jié)構(gòu)。
6. **離子 implantation**:將離子注入材料中,以改變其電學(xué)、光學(xué)或機(jī)械性質(zhì)。
離子濺射儀在材料科學(xué)、微電子、納米技術(shù)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

靶材通常是在物理、化學(xué)和材料科學(xué)等領(lǐng)域中使用的一種材料,主要具有以下功能:
1. **靶向作用**:在粒子物理實(shí)驗(yàn)中,靶材可用于吸收入射粒子并產(chǎn)生可觀測(cè)的反應(yīng),如在粒子加速器中用作靶。
2. **材料沉積**:在薄膜沉積技術(shù)中,靶材用于將材料蒸發(fā)或?yàn)R射到基底上,形成薄膜。這在電子器件、光學(xué)涂層等應(yīng)用中重要。
3. **反應(yīng)介質(zhì)**:在化學(xué)反應(yīng)中,靶材可以作為反應(yīng)物,產(chǎn)生相應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)或物理變化。
4. **能量傳輸**:靶材能夠接收入射粒子的能量并將其轉(zhuǎn)化為其他形式的能量,或以其他方式傳遞能量。
5. **示蹤和檢測(cè)**:在放射性同位素研究中,靶材可以用作示蹤劑,幫助檢測(cè)和分析現(xiàn)象。
總之,靶材在科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用中扮演著重要的角色,其具體功能根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景的不同而有所差異。
濺射靶(Sputter Gun)主要用于物相沉積(PVD)技術(shù)中的薄膜生長(zhǎng)。其適用范圍包括但不限于以下幾個(gè)領(lǐng)域:
1. **半導(dǎo)體制造**:用于沉積金屬、氧化物等材料,以制作電子器件中的導(dǎo)電層和絕緣層。
2. **光學(xué)涂層**:在光學(xué)設(shè)備中應(yīng)用,如鏡頭、濾光片等,增加其反射、透射或抗反射性能。
3. **太陽(yáng)能電池**:用于沉積薄膜材料,以提高光電轉(zhuǎn)換效率。
4. **硬涂層**:在工具、機(jī)械零部件上沉積硬質(zhì)涂層,提升耐磨性和耐腐蝕性。
5. **裝飾性涂層**:在產(chǎn)品表面沉積金屬或合成材料涂層,提升美觀和防護(hù)性能。
6. **磁記錄媒體**:用于制造磁盤和磁帶等數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。
7. **生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用**:在器械及生物材料上沉積涂層,改善其生物相容性和性能。
濺射靶因其能夠沉積均勻、致密的薄膜,以及適用多種材料,廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代材料科學(xué)與工程領(lǐng)域。
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