真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進口Pfeiffer分子泵
前級泵機械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺,300W射頻電源1臺
流量計20sccm/50sccm進口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機LX-300
前級閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設(shè)備機架機電一體化
預(yù)留接口CF35法蘭一個
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
濺射靶(Sputter Gun)是一種用于材料沉積的設(shè)備,主要應(yīng)用于薄膜技術(shù)和表面工程領(lǐng)域。它的工作原理是通過高能粒子(通常是離子)轟擊靶材,使靶材表面的原子或分子被激發(fā)、釋放,并沉積到襯底或其他表面上。這種方法可以用于制作薄膜,例如金屬、氧化物和氮化物薄膜。
濺射靶通常由以下幾個部分組成:
1. **靶材**:目標材料,通常是需要沉積在襯底上的材料。
2. **氣源**:用于生成等離子體的氣體(如氬氣),使離子化的氣體能夠進行轟擊。
3. **真空室**:避免空氣干擾和保持良好的沉積環(huán)境。
4. **電源**:提供能量以加速離子轟擊靶材。
濺射沉積技術(shù)因其優(yōu)良的沉積均勻性、良好的附著力以及對材料多樣性的適應(yīng)性,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件制造、光學涂層、硬質(zhì)涂層等領(lǐng)域。
小型磁控濺射鍍膜機具有以下幾個特點:
1. **占用空間小**:小型設(shè)計使其適合在實驗室或小型生產(chǎn)環(huán)境中使用,便于安裝和操作。
2. **高沉積速率**:磁控濺射技術(shù)通過磁場增強離子化率,從而提高沉積速率,適合快速制備薄膜。
3. **沉積均勻性好**:由于磁場的應(yīng)用,能夠?qū)崿F(xiàn)較為均勻的薄膜沉積,提高膜層的質(zhì)量和一致性。
4. **適用材料廣泛**:能夠濺射多種金屬、合金及絕緣材料,適應(yīng)不同的應(yīng)用需求。
5. **可控性強**:可以控制沉積厚度、沉積速率和氣氛,便于實驗和生產(chǎn)中的參數(shù)調(diào)整。
6. **能**:磁控濺射技術(shù)相對傳統(tǒng)濺射技術(shù)能量損耗較小,效率較高,有助于降低生產(chǎn)成本。
7. **多靶配置**:一些小型鍍膜機支持多靶配置,能夠同時沉積不同材料,適應(yīng)復(fù)雜的薄膜制備需求。
8. **易于維護**:小型設(shè)備一般結(jié)構(gòu)簡單,便于操作和維護,適合實驗室的日常使用。
9. **環(huán)境友好**:多數(shù)小型磁控濺射鍍膜機可以使用低氣壓條件下工作,減少揮發(fā)性有機物等污染。
這些特點使得小型磁控濺射鍍膜機在科研、電子、光學及功能性涂層等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

濺射靶是一種廣泛應(yīng)用于物理、材料科學和納米技術(shù)等領(lǐng)域的設(shè)備,主要用于薄膜的沉積。其特點包括:
1. **高精度沉積**:濺射靶能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的薄膜沉積,控制膜層的厚度和組成。
2. **多種材料適用性**:能夠使用金屬、合金、陶瓷等多種靶材進行沉積,適用范圍廣泛。
3. **較低的沉積溫度**:與其他沉積技術(shù)(如化學氣相沉積)相比,濺射沉積可以在較低的溫度下進行,有助于保護基材。
4. **良好的膜質(zhì)量**:沉積的薄膜通常具備良好的均勻性和致密性,適合用于電子、光學等高性能應(yīng)用。
5. **靈活的氣氛控制**:可以在真空或氣氛環(huán)境中操作,靈活性強,適應(yīng)不同的實驗需求。
6. **搬運便捷**:許多濺射靶設(shè)計緊湊,便于實驗室使用和搬運。
7. **擴展應(yīng)用**:不僅可以用于厚膜沉積,還可以用于微納結(jié)構(gòu)的制作,常用于半導(dǎo)體制造、光電器件等領(lǐng)域。
8. **易于實現(xiàn)多層膜結(jié)構(gòu)**:通過控制濺射時間和靶材,可以輕松實現(xiàn)多層膜的構(gòu)建,滿足復(fù)雜的功能需求。
濺射靶的這些特點使其成為現(xiàn)代材料科學和納米技術(shù)研究中的重要工具。

桌面型磁控濺射鍍膜儀是一種廣泛應(yīng)用于材料科學、電子學、光學等領(lǐng)域的設(shè)備,其主要功能包括:
1. **薄膜沉積**:可在基材上沉積薄膜,形成不同厚度和成分的薄膜材料。
2. **材料多樣性**:支持多種靶材(如金屬、合金、氧化物等),能夠制作出不同種類的薄膜。
3. **優(yōu)良的膜質(zhì)量**:采用磁控濺射技術(shù),可以有效提高薄膜的均勻性和致密性,提高膜的性能。
4. **可調(diào)節(jié)參數(shù)**:可以調(diào)節(jié)濺射功率、氣體流量、基片溫度等參數(shù),以滿足不同工藝要求。
5. **大面積鍍膜**:由于其設(shè)計,可以適用于大面積基片的鍍膜需求,在科研和工業(yè)生產(chǎn)中具有較高的應(yīng)用價值。
6. **過程控制**:配備監(jiān)測系統(tǒng),可以實時監(jiān)測膜厚度、氣氛等,有助于控制沉積過程。
7. **易于操作**:桌面型的設(shè)計使得設(shè)備更加緊湊,操作相對簡單,適合實驗室環(huán)境使用。
8. **真空技術(shù)**:工作過程中保持真空環(huán)境,減少污染,提高沉積質(zhì)量。
這種設(shè)備在半導(dǎo)體器件制造、光學涂層、傳感器、太陽能電池等多個領(lǐng)域具有重要應(yīng)用價值。

磁控濺射是一種廣泛應(yīng)用于薄膜沉積的技術(shù),主要用于在基材上沉積金屬、絕緣體或半導(dǎo)體材料。其功能和優(yōu)勢包括:
1. **量薄膜**:磁控濺射能夠沉積出均勻、致密且質(zhì)量優(yōu)良的薄膜,適用于材料,包括金屬、合金和氧化物等。
2. **可控性強**:通過調(diào)節(jié)濺射參數(shù)(如氣壓、電源功率、磁場強度等),可以控制薄膜的厚度和性質(zhì)。
3. **低溫沉積**:與其他沉積技術(shù)相比,磁控濺射通??梢栽谳^低溫度下進行,這對于熱敏感材料尤為重要。
4. **多種材料的沉積**:可以在不同類型的基材上沉積材料,適用范圍很廣。
5. **高沉積速率**:由于利用了磁場增強離子化過程,磁控濺射的沉積速率通常較高,能夠提高生產(chǎn)效率。
6. **良好的附著力**:沉積的薄膜與基材之間具有良好的附著力,適合用于多種應(yīng)用。
7. **均勻性和厚度控制**:可以實現(xiàn)大面積的均勻沉積,適用于需要大尺寸薄膜的應(yīng)用。
磁控濺射廣泛應(yīng)用于光電器件、太陽能電池、薄膜電路、保護涂層等領(lǐng)域。
離子濺射儀是一種廣泛應(yīng)用于材料科學和表面分析的儀器,其適用范圍主要包括以下幾個方面:
1. **薄膜制備**:用于沉積金屬、氧化物及其他材料的薄膜,廣泛應(yīng)用于電子器件、光電材料等領(lǐng)域。
2. **表面分析**:能夠分析材料表面的元素組成和化學狀態(tài),適用于材料科學、物理、化學等研究領(lǐng)域。
3. **樣品清洗**:可以去除樣品表面的污染物和氧化層,提高后續(xù)分析的準確性。
4. **材料特性研究**:通過改變離子能量和濺射深度,研究材料的結(jié)構(gòu)、成分及性質(zhì)。
5. **半導(dǎo)體工業(yè)**:在半導(dǎo)體制造過程中,離子濺射用于清洗、蝕刻等步驟,確保良好的表面狀態(tài)。
6. **光學領(lǐng)域**:在光學器件的制備中,離子濺射用于涂覆光學薄膜,以滿足特定的光學性能。
7. **生物材料**:在生物材料的研究中,離子濺射可以用于表面改性,以改善生物相容性和性能。
總之,離子濺射儀是一種多功能的設(shè)備,適用于研究與工業(yè)應(yīng)用中。
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