真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進(jìn)口Pfeiffer分子泵
前級泵機(jī)械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺,300W射頻電源1臺
流量計20sccm/50sccm進(jìn)口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機(jī)LX-300
前級閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進(jìn)口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設(shè)備機(jī)架機(jī)電一體化
預(yù)留接口CF35法蘭一個
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
磁控濺射(Magnetron Sputtering)是一種常用的物相沉積(PVD)技術(shù),廣泛應(yīng)用于薄膜材料的制備。它主要利用高能離子轟擊靶材,使靶材原子或分子脫離并沉積到基材表面,形成薄膜。
磁控濺射的基本原理如下:
1. **離子源**:在氣體氬氣中產(chǎn)生等離子體,通常在真空條件下進(jìn)行。通過施加電壓,氬氣原子被電離,形成帶正電的氬離子。
2. **靶材轟擊**:生成的氬離子被加速,轟擊靶材表面,使靶材上的原子以濺射的方式逸出。
3. **磁場的作用**:在靶材附近施加磁場,產(chǎn)生閉合的磁力線,這樣可以有效地延長離子的停留時間,增強(qiáng)了等離子體的密度,提高了濺射效率。
4. **薄膜沉積**:被濺射出來的靶材原子在真空中遷移,終沉積在基材表面,形成所需的薄膜。
磁控濺射技術(shù)具有許多優(yōu)點(diǎn),比如沉積速率高、膜層均勻性好、粘附性強(qiáng)等。此外,它還能夠沉積多種材料,包括金屬、合金、絕緣體和半導(dǎo)體等,因此在光電子、微電子、光學(xué)涂層等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
PVD(物相沉積)鍍膜機(jī)是一種用于在基材表面沉積薄膜的設(shè)備,廣泛應(yīng)用于電子、光學(xué)、工具制造和裝飾等領(lǐng)域。其主要特點(diǎn)包括:
1. **薄膜質(zhì)量高**:PVD工藝能夠在較低的溫度下沉積量、高致密度的薄膜,具有良好的附著力和均勻性。
2. **材料多樣性**:PVD技術(shù)可以鍍金屬、合金和陶瓷材料,能夠滿足不同應(yīng)用需求。
3. **環(huán)保性**:PVD過程通常不涉及有害化學(xué)物質(zhì),相比于化學(xué)氣相沉積(CVD)等工藝更為環(huán)保。
4. **沉積速率可調(diào)**:通過調(diào)整工藝參數(shù),可以控制薄膜的沉積速率,從而滿足不同應(yīng)用的需求。
5. **設(shè)備占用空間小**:PVD鍍膜機(jī)相對較小,適合在空間有限的環(huán)境中使用。
6. **自動化程度高**:現(xiàn)代PVD設(shè)備通常具有較高的自動化水平,可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn),提高生產(chǎn)效率。
7. **良好的耐磨性和耐腐蝕性**:沉積的薄膜通常具有的耐磨性和耐腐蝕性,適用于工業(yè)應(yīng)用。
8. **適應(yīng)性強(qiáng)**:可以處理不同形狀和尺寸的基材,從小型零件到大型工件均可適應(yīng)。
這些特點(diǎn)使得PVD鍍膜機(jī)在多個領(lǐng)域得以廣泛應(yīng)用,并逐漸成為現(xiàn)代材料表面處理的重要設(shè)備。

磁控濺射是一種廣泛應(yīng)用于薄膜沉積的技術(shù),主要用于在基材上沉積金屬、絕緣體或半導(dǎo)體材料。其功能和優(yōu)勢包括:
1. **量薄膜**:磁控濺射能夠沉積出均勻、致密且質(zhì)量優(yōu)良的薄膜,適用于材料,包括金屬、合金和氧化物等。
2. **可控性強(qiáng)**:通過調(diào)節(jié)濺射參數(shù)(如氣壓、電源功率、磁場強(qiáng)度等),可以控制薄膜的厚度和性質(zhì)。
3. **低溫沉積**:與其他沉積技術(shù)相比,磁控濺射通??梢栽谳^低溫度下進(jìn)行,這對于熱敏感材料尤為重要。
4. **多種材料的沉積**:可以在不同類型的基材上沉積材料,適用范圍很廣。
5. **高沉積速率**:由于利用了磁場增強(qiáng)離子化過程,磁控濺射的沉積速率通常較高,能夠提高生產(chǎn)效率。
6. **良好的附著力**:沉積的薄膜與基材之間具有良好的附著力,適合用于多種應(yīng)用。
7. **均勻性和厚度控制**:可以實(shí)現(xiàn)大面積的均勻沉積,適用于需要大尺寸薄膜的應(yīng)用。
磁控濺射廣泛應(yīng)用于光電器件、太陽能電池、薄膜電路、保護(hù)涂層等領(lǐng)域。

磁控濺射是一種常用的薄膜沉積技術(shù),具有以下幾個特點(diǎn):
1. **高沉積速率**:由于使用了磁場增強(qiáng)了等離子體的密度,從而提高了濺射粒子的產(chǎn)生率,能夠?qū)崿F(xiàn)較高的沉積速率。
2. **均勻性**:磁控濺射能夠在較大面積上實(shí)現(xiàn)均勻的薄膜沉積,適用于大面積涂層和均勻薄膜的要求。
3. **良好的附著力**:由于濺射過程中粒子能量較高,薄膜與基底之間的附著力較好,減少了薄膜剝離的風(fēng)險。
4. **低溫沉積**:相比于其他沉積技術(shù),磁控濺射可以在相對較低的溫度下進(jìn)行,適合于對溫度敏感的材料。
5. **多材料沉積**:能夠?qū)崿F(xiàn)多種材料的復(fù)合沉積,包括金屬、絕緣體和半導(dǎo)體等,實(shí)現(xiàn)材料的多樣性。
6. **可控性強(qiáng)**:沉積過程中的參數(shù)(如氣體壓力、功率、基板溫度等)對薄膜的性質(zhì)有較大影響,因此可以通過控制這些參數(shù)來調(diào)節(jié)薄膜的厚度和質(zhì)量。
7. **環(huán)保性**:相較于某些化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù),磁控濺射通常不涉及毒性氣體,環(huán)境友好。
這些特點(diǎn)使得磁控濺射在電子、光電、硬涂層等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。

樣品臺通常用于科學(xué)實(shí)驗、顯微鏡觀察及工業(yè)測試等領(lǐng)域,其主要功能包括:
1. **支撐樣品**:樣品臺提供一個穩(wěn)定的表面,用于放置和支撐待觀察或測試的樣品。
2. **調(diào)整位置**:許多樣品臺具有可調(diào)節(jié)的機(jī)制,允許用戶定位樣品,以便于觀察和分析。
3. **光學(xué)觀察**:在顯微鏡等光學(xué)設(shè)備中,樣品臺能夠在光束的照射下,讓研究人員清晰觀察樣品的細(xì)節(jié)。
4. **溫度控制**:一些樣品臺具有溫控功能,可以在特定的溫度條件下實(shí)驗,適用于生物樣品的觀測。
5. **樣品固定**:樣品臺上通常會配備夾具或黏合劑,以確保樣品在觀察或測試過程中移動。
6. **兼容性**:許多樣品臺設(shè)計為能夠與不同類型的設(shè)備(如顯微鏡、光譜儀等)兼容,便于科學(xué)研究。
7. **數(shù)據(jù)記錄**:某些樣品臺配備傳感器,可以實(shí)時記錄樣品的變化,便于后續(xù)分析。
以上是樣品臺的一些主要功能,具體功能可能根據(jù)不同的應(yīng)用領(lǐng)域和設(shè)備類型而有所不同。
PVD(物相沉積)鍍膜機(jī)廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域,其適用范圍包括但不限于:
1. **電子行業(yè)**:用于制造半導(dǎo)體器件、電容器、導(dǎo)電膜、光學(xué)器件等。
2. **太陽能行業(yè)**:用于光伏電池的抗反射膜和導(dǎo)電膜的沉積。
3. **光學(xué)元件**:用于制造鏡頭、濾光片、光學(xué)涂層等,提高光學(xué)性能和耐磨性。
4. **工具和模具**:用于在工具和模具表面鍍膜,以提高耐磨性、耐腐蝕性和降低摩擦。
5. **裝飾和飾品**:用于金屬和非金屬表面的裝飾性鍍膜,如汽車配件、家居用品等。
6. **器械**:用于器械表面鍍膜,以提高生物相容性和性能。
7. **和**:在材料上鍍膜,以提高其性能和耐久性。
PVD技術(shù)因其可以沉積多種材料且能夠控制膜的厚度、組成和質(zhì)量,受到廣泛青睞。
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