真空腔室Ф246×228mm,304優(yōu)質(zhì)不銹鋼
分子泵進(jìn)口Pfeiffer分子泵
前級泵機(jī)械泵,北儀優(yōu)成
真空規(guī)全量程真空規(guī),上海玉川
濺射靶Ф2英寸永磁靶2支(含靶擋板)
濺射電源500W直流電源1臺,300W射頻電源1臺
流量計20sccm/50sccm進(jìn)口WARWICK
控制系統(tǒng)PLC+觸摸屏智能控制系統(tǒng)1套
冷水機(jī)LX-300
前級閥GDC-25b電磁擋板閥1套
旁路閥GDC-25b電磁擋板閥1套
限流閥DN63mm一套
充氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
放氣閥Φ6mm,電磁截止閥1套
基片臺Ф100mm,高度:60~120mm可調(diào),旋轉(zhuǎn):0-20r/min可調(diào),可加熱至300℃
膜厚監(jiān)控儀進(jìn)口Inficon SQM-160單水冷探頭,精度0.1?(選配)
真空管路波紋管、真空管道等1套
設(shè)備機(jī)架機(jī)電一體化
預(yù)留接口CF35法蘭一個
備件CF35銅墊圈及氟密封圈全套等
離子濺射儀是一種用于材料表面分析和處理的儀器,廣泛應(yīng)用于物理、材料科學(xué)、納米技術(shù)以及半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。其基本原理是通過離子束轟擊目標(biāo)材料表面,導(dǎo)致該材料的原子或分子被濺射出來,從而可以進(jìn)行成分分析、薄膜沉積或表面修飾等操作。
離子濺射儀的主要組成部分包括:
1. **離子源**:用于產(chǎn)生離子束,通常包括氣體源和加速電場。
2. **真空腔**:為了減少氣體分子對離子束的散射,實驗一般在高真空環(huán)境下進(jìn)行。
3. **靶材**:待處理或分析的樣品,用于接受離子轟擊。
4. **探測器**:用于捕捉和分析濺射出來的粒子,以獲取樣品的成分信息。
離子濺射的特點包括高靈敏度、高分辨率和適用于材料的處理,是現(xiàn)代材料科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用中的工具。
磁控濺射是一種廣泛應(yīng)用于薄膜沉積的技術(shù),主要用于在基材上沉積金屬、絕緣體或半導(dǎo)體材料。其功能和優(yōu)勢包括:
1. **量薄膜**:磁控濺射能夠沉積出均勻、致密且質(zhì)量優(yōu)良的薄膜,適用于材料,包括金屬、合金和氧化物等。
2. **可控性強(qiáng)**:通過調(diào)節(jié)濺射參數(shù)(如氣壓、電源功率、磁場強(qiáng)度等),可以控制薄膜的厚度和性質(zhì)。
3. **低溫沉積**:與其他沉積技術(shù)相比,磁控濺射通??梢栽谳^低溫度下進(jìn)行,這對于熱敏感材料尤為重要。
4. **多種材料的沉積**:可以在不同類型的基材上沉積材料,適用范圍很廣。
5. **高沉積速率**:由于利用了磁場增強(qiáng)離子化過程,磁控濺射的沉積速率通常較高,能夠提高生產(chǎn)效率。
6. **良好的附著力**:沉積的薄膜與基材之間具有良好的附著力,適合用于多種應(yīng)用。
7. **均勻性和厚度控制**:可以實現(xiàn)大面積的均勻沉積,適用于需要大尺寸薄膜的應(yīng)用。
磁控濺射廣泛應(yīng)用于光電器件、太陽能電池、薄膜電路、保護(hù)涂層等領(lǐng)域。

濺射靶是一種廣泛應(yīng)用于物理、材料科學(xué)和納米技術(shù)等領(lǐng)域的設(shè)備,主要用于薄膜的沉積。其特點包括:
1. **高精度沉積**:濺射靶能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的薄膜沉積,控制膜層的厚度和組成。
2. **多種材料適用性**:能夠使用金屬、合金、陶瓷等多種靶材進(jìn)行沉積,適用范圍廣泛。
3. **較低的沉積溫度**:與其他沉積技術(shù)(如化學(xué)氣相沉積)相比,濺射沉積可以在較低的溫度下進(jìn)行,有助于保護(hù)基材。
4. **良好的膜質(zhì)量**:沉積的薄膜通常具備良好的均勻性和致密性,適合用于電子、光學(xué)等高性能應(yīng)用。
5. **靈活的氣氛控制**:可以在真空或氣氛環(huán)境中操作,靈活性強(qiáng),適應(yīng)不同的實驗需求。
6. **搬運便捷**:許多濺射靶設(shè)計緊湊,便于實驗室使用和搬運。
7. **擴(kuò)展應(yīng)用**:不僅可以用于厚膜沉積,還可以用于微納結(jié)構(gòu)的制作,常用于半導(dǎo)體制造、光電器件等領(lǐng)域。
8. **易于實現(xiàn)多層膜結(jié)構(gòu)**:通過控制濺射時間和靶材,可以輕松實現(xiàn)多層膜的構(gòu)建,滿足復(fù)雜的功能需求。
濺射靶的這些特點使其成為現(xiàn)代材料科學(xué)和納米技術(shù)研究中的重要工具。

磁控濺射是一種常用的薄膜沉積技術(shù),具有以下幾個特點:
1. **高沉積速率**:由于使用了磁場增強(qiáng)了等離子體的密度,從而提高了濺射粒子的產(chǎn)生率,能夠?qū)崿F(xiàn)較高的沉積速率。
2. **均勻性**:磁控濺射能夠在較大面積上實現(xiàn)均勻的薄膜沉積,適用于大面積涂層和均勻薄膜的要求。
3. **良好的附著力**:由于濺射過程中粒子能量較高,薄膜與基底之間的附著力較好,減少了薄膜剝離的風(fēng)險。
4. **低溫沉積**:相比于其他沉積技術(shù),磁控濺射可以在相對較低的溫度下進(jìn)行,適合于對溫度敏感的材料。
5. **多材料沉積**:能夠?qū)崿F(xiàn)多種材料的復(fù)合沉積,包括金屬、絕緣體和半導(dǎo)體等,實現(xiàn)材料的多樣性。
6. **可控性強(qiáng)**:沉積過程中的參數(shù)(如氣體壓力、功率、基板溫度等)對薄膜的性質(zhì)有較大影響,因此可以通過控制這些參數(shù)來調(diào)節(jié)薄膜的厚度和質(zhì)量。
7. **環(huán)保性**:相較于某些化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù),磁控濺射通常不涉及毒性氣體,環(huán)境友好。
這些特點使得磁控濺射在電子、光電、硬涂層等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。

磁控濺射鍍膜機(jī)是一種常用的薄膜制備設(shè)備,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電器件、光學(xué)涂層等領(lǐng)域。其主要特點包括:
1. **高沉積速率**:磁控濺射技術(shù)能夠在較短時間內(nèi)實現(xiàn)較高的薄膜沉積速率,適用于大規(guī)模生產(chǎn)。
2. **優(yōu)良的膜層均勻性**:由于采用磁場增強(qiáng)了離子的密度,膜層的厚度均勻性和思想性得到了顯著提升。
3. **良好的膜質(zhì)**:磁控濺射沉積的膜層通常具有較高的致密性和優(yōu)良的物理性質(zhì),如低內(nèi)應(yīng)力和高附著力。
4. **適用性廣**:可以對多種材料進(jìn)行沉積,包括金屬、絕緣體和半導(dǎo)體等,適用范圍廣泛。
5. **可控性強(qiáng)**:通過調(diào)節(jié)氣體壓力、功率、目標(biāo)材料和沉積時間等參數(shù),可以控制膜層的厚度和組成。
6. **環(huán)境友好**:相比于其他鍍膜技術(shù),磁控濺射常用的氣體(如氬氣)對環(huán)境危害較小,過程相對環(huán)保。
7. **良好的應(yīng)變控制**:磁控濺射可以在較低的溫度下進(jìn)行,這對于熱敏感材料尤為重要,可以有效控制膜層的應(yīng)變和缺陷。
8. **多功能性**:可通過不同的配置實現(xiàn)多種功能,如多層膜的沉積或不同材料的復(fù)合沉積。
這些特點使得磁控濺射鍍膜機(jī)成為現(xiàn)代薄膜技術(shù)中重要的工具。
磁控濺射鍍膜機(jī)是一種常見的薄膜沉積設(shè)備,廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域。其適用范圍主要包括:
1. **光電器件**:用于制造太陽能電池、OLED顯示屏、LED等光電元件的導(dǎo)電膜和熒光膜。
2. **半導(dǎo)體器件**:在集成電路生產(chǎn)中,磁控濺射可以用于沉積金屬、氧化物和氮化物薄膜,這些薄膜用于互連、絕緣和摻雜等功能。
3. **光學(xué)涂層**:生產(chǎn)抗反射 coating、反射鏡涂層和其他光學(xué)薄膜,廣泛應(yīng)用于鏡頭、光學(xué)儀器和顯示器上。
4. **硬涂層**:用于制造硬度高、耐磨損的薄膜,在工具、模具等表面進(jìn)行保護(hù)。
5. **磁性材料**:在數(shù)據(jù)存儲和磁性傳感器中,沉積磁性薄膜以實現(xiàn)特定的磁性能。
6. **裝飾涂層**:在家居用品、電子產(chǎn)品外殼等表面進(jìn)行裝飾性鍍膜。
7. **生物醫(yī)學(xué)**:在生物傳感器和器械表面形成或生物相容性薄膜。
由于其良好的膜質(zhì)量和均勻性,磁控濺射鍍膜機(jī)在材料科學(xué)、納米科技等研究領(lǐng)域也有廣泛應(yīng)用。
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